Exafs analysis on sioxny films (2006)
- Autores:
- Autores USP: FANTINI, MARCIA CARVALHO DE ABREU - IF ; PEREYRA, INÊS - EP
- Unidades: IF; EP
- Assunto: MATERIAIS (PESQUISA)
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: SBPMat
- Local: Rio de Janeiro
- Data de publicação: 2006
- Fonte:
- Título do periódico: Poster Session G522
- Volume/Número/Paginação/Ano: Rio de Janeiro : SBPMat, 2006
- Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais (SBPMat
-
ABNT
PEREYRA, Inés e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e CRIADO, Denise. Exafs analysis on sioxny films. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterG.pdf. Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Pereyra, I., Fantini, M. C. de A., & Criado, D. (2006). Exafs analysis on sioxny films. In Poster Session G522. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterG.pdf -
NLM
Pereyra I, Fantini MC de A, Criado D. Exafs analysis on sioxny films [Internet]. Poster Session G522. 2006 ;[citado 2024 abr. 26 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterG.pdf -
Vancouver
Pereyra I, Fantini MC de A, Criado D. Exafs analysis on sioxny films [Internet]. Poster Session G522. 2006 ;[citado 2024 abr. 26 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterG.pdf - On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films
- Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films
- Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis
- Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application
- Control of the refractive index in PECVD SiOxNy films
- SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H
- Structural and morphological investigation of amorphous hydrogenated silicon carbide
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- EXAFS analysis on SiOxNy films
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