Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C (2000)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: IEEE/SBC
- Local: Piscataway
- Data de publicação: 2000
- Fonte:
- Título do periódico: LATW 00: proceedings
- Nome do evento: IEEE Latin American Test Workshop
-
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C. 2000, Anais.. Piscataway: IEEE/SBC, 2000. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2000). Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C. In LATW 00: proceedings. Piscataway: IEEE/SBC. -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C. LATW 00: proceedings. 2000 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current accumulation-mode SOI pMOSFETs operating up to 300º C. LATW 00: proceedings. 2000 ;[citado 2024 set. 19 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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