A new method to extract the effective trap density at the buried oxide underlying substrate interface in enhancement mode SOI MOSFETs at low temperatures (1998)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1051/jp4:1998311
- Subjects: EQUIPAMENTOS ELÉTRICOS; MÁQUINAS ELÉTRICAS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Les Ulis Cedex
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Journal de Physique IV
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.8, p.45-48, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. A new method to extract the effective trap density at the buried oxide underlying substrate interface in enhancement mode SOI MOSFETs at low temperatures. Journal de Physique IV, v. 8, p. 45-48, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1051/jp4:1998311. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1998). A new method to extract the effective trap density at the buried oxide underlying substrate interface in enhancement mode SOI MOSFETs at low temperatures. Journal de Physique IV, 8, 45-48. doi:10.1051/jp4:1998311 -
NLM
Pavanello MA, Martino JA. A new method to extract the effective trap density at the buried oxide underlying substrate interface in enhancement mode SOI MOSFETs at low temperatures [Internet]. Journal de Physique IV. 1998 ;8 45-48.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1051/jp4:1998311 -
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. A new method to extract the effective trap density at the buried oxide underlying substrate interface in enhancement mode SOI MOSFETs at low temperatures [Internet]. Journal de Physique IV. 1998 ;8 45-48.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1051/jp4:1998311 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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Informações sobre o DOI: 10.1051/jp4:1998311 (Fonte: oaDOI API)
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