'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides (1992)
- Autores:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Sbmicro/Epusp
- Local: Sao Paulo
- Data de publicação: 1992
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
LOPES, M C V e HASENACK, Claus Martin. 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides. 1992, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Lopes, M. C. V., & Hasenack, C. M. (1992). 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp. -
NLM
Lopes MCV, Hasenack CM. 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides. Anais. 1992 ;[citado 2024 abr. 26 ] -
Vancouver
Lopes MCV, Hasenack CM. 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides. Anais. 1992 ;[citado 2024 abr. 26 ] - Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas
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