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ABNT
BELIAEV, D e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 270-3, 1994Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 270-3.
NLM
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 270-3.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 270-3.[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
ENDERLEIN, R e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. Plateau behavior and metal-insulator transition in 'DELTA'-doping superlattices for transport along the growth direction. Physical Review B, v. 50, n. 24, p. 18312-8, 1994Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Plateau behavior and metal-insulator transition in 'DELTA'-doping superlattices for transport along the growth direction. Physical Review B, 50( 24), 18312-8.
NLM
Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Plateau behavior and metal-insulator transition in 'DELTA'-doping superlattices for transport along the growth direction. Physical Review B. 1994 ;50( 24): 18312-8.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Plateau behavior and metal-insulator transition in 'DELTA'-doping superlattices for transport along the growth direction. Physical Review B. 1994 ;50( 24): 18312-8.[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
RODRIGUES, S C P e SCOLFARO, L M R. Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de l'NI IND.X' 'GA IND.1-X'as' / 'ga''as'. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Scolfaro, L. M. R. (1994). Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de l'NI IND.X' 'GA IND.1-X'as' / 'ga''as'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
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ABNT
RODRIGUES, S C P e SCOLFARO, L M R. Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'. 1994, Anais.. São Paulo: IfUSP, 1994. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Scolfaro, L. M. R. (1994). Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: IfUSP.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR. Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR. Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, v. 15, n. 3 , p. 333-7, 1994Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, 15( 3 ), 333-7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
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SCOLFARO, L M R et al. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of hole confinement in delta-doping structures. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Theory of hole confinement in delta-doping structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Theory of hole confinement in delta-doping structures. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Theory of hole confinement in delta-doping structures. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
BELIAEV, D et al. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, v. 15, n. 3 , p. 339-43, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Beliaev, D., Enderlein, R., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1994). Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, 15( 3 ), 339-43. doi:10.1006/spmi.1994.1066
NLM
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Vancouver
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
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ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, v. 143-7, p. 669-74, 1994Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
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Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Mendonca, C. A. C., Beliaev, D., Shibli, S. M., Silva, E. C. F., & Meneses, E. A. (1994). Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, 143-7, 669-74.
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ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 nov. 2025. , 1994
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
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TAKAHASHI, E K et al. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 27 nov. 2025.
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Takahashi, E. K., Lino, A. T., Schmidt, T. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon. Physical Review B, v. 50, n. 12, p. 8699-705, 1994Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1994). Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon. Physical Review B, 50( 12), 8699-705.
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Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon. Physical Review B. 1994 ;50( 12): 8699-705.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon. Physical Review B. 1994 ;50( 12): 8699-705.[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices. 1994, Anais.. Vancouver: World Scientific, 1994. . Acesso em: 27 nov. 2025.
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Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices. In Proceedings. Vancouver: World Scientific.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices. Proceedings. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices. Proceedings. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
LINO, A T et al. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 27 nov. 2025.
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Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., & Leite, J. R. (1994). Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, v. s28, p. 667-73, 1994Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
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Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Takahashi, E., & Leite, J. R. (1994). Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, s28, 667-73.
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Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2025 nov. 27 ]
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ABNT
RODRIGUES, S C P e SCOLFARO, L M R. Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'. 1994, Anais.. São Paulo: FAU/IME/FFLCH, 1994. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Scolfaro, L. M. R. (1994). Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: FAU/IME/FFLCH.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR. Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
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Rodrigues SCP, Scolfaro LMR. Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS'. Programa e Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 27 ]
