Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI' (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1994
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 11 set. 2024. -
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. Resumos. 1994 ;[citado 2024 set. 11 ] -
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. Resumos. 1994 ;[citado 2024 set. 11 ] - Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos
- Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon
- Band structure of holes in p-'DELTA'-doping superlattices
- Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon
- Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'
- Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'
- Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors
- Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities
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