ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications (1998)
Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira
Fonte: Journal of Solid-State Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard et al. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits, v. 6, n. 1, p. 1-6, 1998Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Verdonck, P. B., Mansano, R. D., Maciel, H. S., & Salvadori, M. C. B. da S. (1998). Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits, 6( 1), 1-6.
NLM
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS, Salvadori MCB da S. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1998 ; 6( 1): 1-6.[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS, Salvadori MCB da S. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1998 ; 6( 1): 1-6.[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos (1998)
Llanos Quintero, Carlos Humberto; Strum, Marius
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LLANOS QUINTERO, Carlos Humberto e STRUM, Marius. DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 25, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/aff125bc-8d14-4c0c-af69-957aeeb9ec2c/BT-PEE-98_25_250917_082126.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Llanos Quintero, C. H., & Strum, M. (1998). DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (25). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/aff125bc-8d14-4c0c-af69-957aeeb9ec2c/BT-PEE-98_25_250917_082126.pdf
NLM
Llanos Quintero CH, Strum M. DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(25):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/aff125bc-8d14-4c0c-af69-957aeeb9ec2c/BT-PEE-98_25_250917_082126.pdf
Vancouver
Llanos Quintero CH, Strum M. DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(25):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/aff125bc-8d14-4c0c-af69-957aeeb9ec2c/BT-PEE-98_25_250917_082126.pdf
Tese (Doutorado)
Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT (1998)
Olmos, Alfredo; Charry Rodriguez, Edgar (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLMOS, Alfredo. Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27112024-120427/pt-br.php. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Olmos, A. (1998). Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27112024-120427/pt-br.php
NLM
Olmos A. Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT [Internet]. 1998 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27112024-120427/pt-br.php
Vancouver
Olmos A. Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT [Internet]. 1998 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27112024-120427/pt-br.php
Artigo de periodico
Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas (1998)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 12, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/32637ac9-acc6-40db-9b07-d2cee0f24d2f/BT-PEE-98_12_250925_151339.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (12). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/32637ac9-acc6-40db-9b07-d2cee0f24d2f/BT-PEE-98_12_250925_151339.pdf
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(12):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/32637ac9-acc6-40db-9b07-d2cee0f24d2f/BT-PEE-98_12_250925_151339.pdf
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(12):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/32637ac9-acc6-40db-9b07-d2cee0f24d2f/BT-PEE-98_12_250925_151339.pdf
Artigo de periodico
Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) (1998)
Hasan, Nasser Mahmoud; Laganá, Armando Antonio Maria ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASAN, Nasser Mahmoud e LAGANÁ, Armando Antonio Maria e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 13, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Hasan, N. M., Laganá, A. A. M., & Santos Filho, S. G. dos. (1998). Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (13). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf
NLM
Hasan NM, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(13):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf
Vancouver
Hasan NM, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(13):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf
Artigo de periodico
Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode (1998)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Fonte: Sensors and Actuators A. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, v. 65, n. 2-3, p. 180-186, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, 65( 2-3), 180-186. doi:10.1016/s0924-4247(97)01681-6
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
Trabalho de evento
Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films (1998)
Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Faria, Roberto Mendonça ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Fonte: SBMicro - ICMP'98 : proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidades: EP, IFSC
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, ESPECTROSCOPIA, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIRANI, Ely Antonio Tadeu et al. Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films. 1998, Anais.. Curitiba: LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Dirani, E. A. T., Faria, R. M., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (1998). Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films. In SBMicro - ICMP'98 : proceedings. Curitiba: LACTRO/LAC.
NLM
Dirani EAT, Faria RM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films. SBMicro - ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Dirani EAT, Faria RM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films. SBMicro - ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea (1998)
Hashimoto, Alexandre Ichiro; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASHIMOTO, Alexandre Ichiro e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 14, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/98350026-1a6c-4e32-a53b-976426f47d38/BT-PEE-98_14_250925_151714.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Hashimoto, A. I., & Santos Filho, S. G. dos. (1998). Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (14). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/98350026-1a6c-4e32-a53b-976426f47d38/BT-PEE-98_14_250925_151714.pdf
NLM
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(14):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/98350026-1a6c-4e32-a53b-976426f47d38/BT-PEE-98_14_250925_151714.pdf
Vancouver
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(14):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/98350026-1a6c-4e32-a53b-976426f47d38/BT-PEE-98_14_250925_151714.pdf
Trabalho de evento
Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes (1998)
Simões, Eliphas Wagner; Mansano, Ronaldo Domingues ; Furlan, Rogério ; Verdonck, Patrick Bernard
Fonte: XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIMÕES, Eliphas Wagner et al. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. 1998, Anais.. Curitiba: s. ed, 1998. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Simões, E. W., Mansano, R. D., Furlan, R., & Verdonck, P. B. (1998). Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. In XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. Curitiba: s. ed.
NLM
Simões EW, Mansano RD, Furlan R, Verdonck PB. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Simões EW, Mansano RD, Furlan R, Verdonck PB. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 15 ]

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores

Autores USP

Título da fonte