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Trabalho de evento-resumo
Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires (1990)
Campos, V. B.; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Conference on Superlattices and Microstructures. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CAMPOS, V. B. e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. 1990, Anais.. Berlin: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Campos, V. B., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1990). Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. In Abstracts. Berlin: , Universidade de São Paulo.
NLM
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ]
Vancouver
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Many-polaron interaction effects in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' quantum-well-wires. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings of SPIE. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 10 dez. 2025. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de correlacoes de curto alcance em semicondutores dopados com impurezas doadoras (1990)
Borges, A N; Hipólito, Oscar; Campos, V B
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BORGES, A N e HIPÓLITO, Oscar e CAMPOS, V B. Efeitos de correlacoes de curto alcance em semicondutores dopados com impurezas doadoras. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70fa8292-441e-47a3-a934-4151b09fdf49/PROD001293_799805.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Borges, A. N., Hipólito, O., & Campos, V. B. (1990). Efeitos de correlacoes de curto alcance em semicondutores dopados com impurezas doadoras. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/70fa8292-441e-47a3-a934-4151b09fdf49/PROD001293_799805.pdf
NLM
Borges AN, Hipólito O, Campos VB. Efeitos de correlacoes de curto alcance em semicondutores dopados com impurezas doadoras [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70fa8292-441e-47a3-a934-4151b09fdf49/PROD001293_799805.pdf
Vancouver
Borges AN, Hipólito O, Campos VB. Efeitos de correlacoes de curto alcance em semicondutores dopados com impurezas doadoras [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70fa8292-441e-47a3-a934-4151b09fdf49/PROD001293_799805.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 825.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 825.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
Artigo de periodico
Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Materials Science Forum. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, v. 65-6, p. 67-72, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, 65-6, 67-72. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Parte de monografia/livro
Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures (1990)
Hipólito, Oscar; Degani, Marcos Henrique; Freitas, U; Studart, N; Campos, V B
Source: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HIPÓLITO, Oscar et al. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures. Correlations in Electronic and Atomic Fluids. Tradução . New York: World Scientific, 1990. . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Hipólito, O., Degani, M. H., Freitas, U., Studart, N., & Campos, V. B. (1990). Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures. In Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
NLM
Hipólito O, Degani MH, Freitas U, Studart N, Campos VB. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures [Internet]. In: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific; 1990. [citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
Vancouver
Hipólito O, Degani MH, Freitas U, Studart N, Campos VB. Manypolaron interaction effects in semiconductor microstructures [Internet]. In: Correlations in Electronic and Atomic Fluids. New York: World Scientific; 1990. [citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/523b5334-f815-46b8-ad7f-04b6323776ee/PROD000287_818786.pdf
Artigo de periodico
Electron-polar optical phonon scattering rates in multisubband quantum wire structures (1990)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Electron-polar optical phonon scattering rates in multisubband quantum wire structures. Surface Science, v. 229, p. 279-81, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(90)90889-g. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Degani, M. H., & Hipólito, O. (1990). Electron-polar optical phonon scattering rates in multisubband quantum wire structures. Surface Science, 229, 279-81. doi:10.1016/0039-6028(90)90889-g
NLM
Degani MH, Hipólito O. Electron-polar optical phonon scattering rates in multisubband quantum wire structures [Internet]. Surface Science. 1990 ;229 279-81.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(90)90889-g
Vancouver
Degani MH, Hipólito O. Electron-polar optical phonon scattering rates in multisubband quantum wire structures [Internet]. Surface Science. 1990 ;229 279-81.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(90)90889-g
Trabalho de evento-resumo
Resonant bound polaron in semiconductor quantum well (1990)
Osório, Francisco P.; Maialle, Marcelo Z.; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Centre of Condensed Matter Physics. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSÓRIO, Francisco P. e MAIALLE, Marcelo Z. e HIPÓLITO, Oscar. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. 1990, Anais.. Brasília: Universidade de Brasília - UNB, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8e28bdc-fad1-4637-8d10-7de278768c75/PROD001516_2292634.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Osório, F. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1990). Resonant bound polaron in semiconductor quantum well. In Abstracts. Brasília: Universidade de Brasília - UNB. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8e28bdc-fad1-4637-8d10-7de278768c75/PROD001516_2292634.pdf
NLM
Osório FP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8e28bdc-fad1-4637-8d10-7de278768c75/PROD001516_2292634.pdf
Vancouver
Osório FP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound polaron in semiconductor quantum well [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8e28bdc-fad1-4637-8d10-7de278768c75/PROD001516_2292634.pdf
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy (1990)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 67, n. 9 , p. 4149-51, 1990Tradução . . Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 67( 9 ), 4149-51.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 dez. 10 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 dez. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Energia de ligacao de excitons em fios quanticos com altura da barreira finita (1990)
Panepucci, R R; Osorio, F P; Hipólito, Oscar
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, INTERFACE (MATERIA CONDENSADA), ENERGIA (ESTUDO;EXPERIMENTOS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PANEPUCCI, R R e OSORIO, F P e HIPÓLITO, Oscar. Energia de ligacao de excitons em fios quanticos com altura da barreira finita. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9cb90884-4941-41bf-99ac-e28841b1a95e/PROD001354_799903.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Panepucci, R. R., Osorio, F. P., & Hipólito, O. (1990). Energia de ligacao de excitons em fios quanticos com altura da barreira finita. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9cb90884-4941-41bf-99ac-e28841b1a95e/PROD001354_799903.pdf
NLM
Panepucci RR, Osorio FP, Hipólito O. Energia de ligacao de excitons em fios quanticos com altura da barreira finita [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9cb90884-4941-41bf-99ac-e28841b1a95e/PROD001354_799903.pdf
Vancouver
Panepucci RR, Osorio FP, Hipólito O. Energia de ligacao de excitons em fios quanticos com altura da barreira finita [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9cb90884-4941-41bf-99ac-e28841b1a95e/PROD001354_799903.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Trabalho de evento-resumo
Espectro de perda de energia de eletrons de um sistema semicondutor de dupla camada (1990)
Osorio, F A P; Hipólito, Oscar
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, INTERFACE (MATERIA CONDENSADA), ESPECTROS, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
OSORIO, F A P e HIPÓLITO, Oscar. Espectro de perda de energia de eletrons de um sistema semicondutor de dupla camada. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/dba2de8d-3848-4800-bb5f-20498a8c3ed7/PROD001251_799899.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Osorio, F. A. P., & Hipólito, O. (1990). Espectro de perda de energia de eletrons de um sistema semicondutor de dupla camada. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/dba2de8d-3848-4800-bb5f-20498a8c3ed7/PROD001251_799899.pdf
NLM
Osorio FAP, Hipólito O. Espectro de perda de energia de eletrons de um sistema semicondutor de dupla camada [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/dba2de8d-3848-4800-bb5f-20498a8c3ed7/PROD001251_799899.pdf
Vancouver
Osorio FAP, Hipólito O. Espectro de perda de energia de eletrons de um sistema semicondutor de dupla camada [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/dba2de8d-3848-4800-bb5f-20498a8c3ed7/PROD001251_799899.pdf
Trabalho de evento
Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures (1990)
Osório, F. A. P.; Maialle, M. Z.; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
OSÓRIO, F. A. P. e MAIALLE, M. Z. e HIPÓLITO, Oscar. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Osório, F. A. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1990). Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ]
Vancouver
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Resonant bound magnetopolaron effect in confined semiconducting structures. Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Theory of resonat donor-impurity magnetopolaron in semiconductor quantum wells (1990)
Osorio, F A P; Maialle, M Z; Hipólito, Oscar
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, INTERFACE (MATERIA CONDENSADA), FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSORIO, F A P e MAIALLE, M Z e HIPÓLITO, Oscar. Theory of resonat donor-impurity magnetopolaron in semiconductor quantum wells. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7122427b-9fac-49c5-8033-5eac6bd96466/PROD001252_799900.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Osorio, F. A. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1990). Theory of resonat donor-impurity magnetopolaron in semiconductor quantum wells. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7122427b-9fac-49c5-8033-5eac6bd96466/PROD001252_799900.pdf
NLM
Osorio FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Theory of resonat donor-impurity magnetopolaron in semiconductor quantum wells [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7122427b-9fac-49c5-8033-5eac6bd96466/PROD001252_799900.pdf
Vancouver
Osorio FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Theory of resonat donor-impurity magnetopolaron in semiconductor quantum wells [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7122427b-9fac-49c5-8033-5eac6bd96466/PROD001252_799900.pdf
Trabalho de evento-resumo
Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf. Acesso em: 10 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Ioriatti Júnior, L. C., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf

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