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Trabalho de evento-resumo
Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors (2024)
Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
LUGINIESKI, Marcos e TORRES, Bruno Bassi Millan e FARIA, Gregório Couto. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors. 2024, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2024. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Luginieski, M., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2024). Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf
NLM
Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf
Vancouver
Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf
Trabalho de evento
Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Conference titles: IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems - LASCAS. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. 2024, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2024). Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. In . Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Artigo de periodico
An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET (2024)
Yojo, Leonardo Shimizu; Rangel, R C; Duarte, Pedro Henrique; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: GLICOSE, DRENAGEM, TRANSISTORES
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ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu et al. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, v. 211, n. Ja 2024, p. 1-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Yojo, L. S., Rangel, R. C., Duarte, P. H., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, 211( Ja 2024), 1-6. doi:10.1016/j.sse.2023.108830
NLM
Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830
Vancouver
Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830
Artigo de periodico
Study of ISFET for KCl sensing (2024)
Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO, SENSORES BIOMÉDICOS
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ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, v. 219, p. 1-5, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, 219, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2024.108974
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974
Artigo de periodico
Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors (2024)
Colucci, Renan ; Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto
Source: Advanced Electronic Materials. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
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ABNT
COLUCCI, Renan e FEITOSA, Bianca de Andrade e FARIA, Gregório Couto. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, v. 10, n. 2, p. 2300235-1-2300235-8 + supporting information, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Colucci, R., Feitosa, B. de A., & Faria, G. C. (2024). Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, 10( 2), 2300235-1-2300235-8 + supporting information. doi:10.1002/aelm.202300235
NLM
Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235
Vancouver
Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235
Tese (Doutorado)
Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Romero, Murilo Araujo (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: NANOELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
NLM
Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
Vancouver
Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
Tese (Doutorado)
Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (2024)
Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FEITOSA, Bianca de Andrade. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Feitosa, B. de A. (2024). Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
NLM
Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
Vancouver
Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
Artigo de periodico
Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors (2024)
Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto
Source: ACS Applied Electronic Materials. Unidade: IFSC
Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LUGINIESKI, Marcos e TORRES, Bruno Bassi Millan e FARIA, Gregório Couto. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors. ACS Applied Electronic Materials, v. 6, n. 4, p. 2225-2231 + supporting information: S1-S10, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Luginieski, M., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2024). Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors. ACS Applied Electronic Materials, 6( 4), 2225-2231 + supporting information: S1-S10. doi:10.1021/acsaelm.3c01673
NLM
Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 4): 2225-2231 + supporting information: S1-S10.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673
Vancouver
Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 4): 2225-2231 + supporting information: S1-S10.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673
Trabalho de evento-resumo
Mapping the electric field distribution within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy (2024)
Sousa, Marcos da Silva; Günther, Florian Steffen ; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Presentation program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), TRANSISTORES, MICROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUSA, Marcos da Silva e GÜNTHER, Florian Steffen e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Mapping the electric field distribution within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy. 2024, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2024. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/xxiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiisbpmat/854_1717977483.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Sousa, M. da S., Günther, F. S., & Miranda, P. B. (2024). Mapping the electric field distribution within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy. In Presentation program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/xxiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiisbpmat/854_1717977483.pdf
NLM
Sousa M da S, Günther FS, Miranda PB. Mapping the electric field distribution within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy [Internet]. Presentation program. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiisbpmat/854_1717977483.pdf
Vancouver
Sousa M da S, Günther FS, Miranda PB. Mapping the electric field distribution within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy [Internet]. Presentation program. 2024 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiisbpmat/854_1717977483.pdf
Trabalho de evento-resumo
Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach (2022)
Torres, Bruno Bassi Millan ; Feitosa, Bianca de Andrade; Coutinho, Douglas José; Faria, Gregório Couto
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Bruno Bassi Millan et al. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach. 2022, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Torres, B. B. M., Feitosa, B. de A., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2022). Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf
NLM
Torres BBM, Feitosa B de A, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf
Vancouver
Torres BBM, Feitosa B de A, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf
Artigo de periodico
Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data (2022)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Silva, Wenita de Lima; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328
NLM
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328
Vancouver
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
NLM
Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Vancouver
Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Trabalho de evento
Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator (2022)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
NLM
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
Vancouver
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
Artigo de periodico
Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Perina, Welder F; Rangel, Roberto; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares et al. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, v. 189, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Sousa, J. C. S., Perina, W. F., Rangel, R., Simoen, E., Veloso, A., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, 189, 1-9. doi:10.1016/j.sse.2022.108238
NLM
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238
Vancouver
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238
Artigo de periodico
Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SENSOR, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso e SASAKI, Kátia Regina Akemi e MARTINO, João Antonio. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2022). Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.626
NLM
Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626
Vancouver
Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626
Artigo de periodico
Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) (2022)
Fernandes, Marcelo; Wrasse, Ernesto Osvaldo; Koyama, Caio Junji Kawata; Günther, Florian Steffen ; Coutinho, Douglas José
Source: RSC Advances. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS ELETRÔNICOS, DIODOS, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDES, Marcelo et al. Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT). RSC Advances, v. 2022, n. 29, p. 18578-18584, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d2ra02969c. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Fernandes, M., Wrasse, E. O., Koyama, C. J. K., Günther, F. S., & Coutinho, D. J. (2022). Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT). RSC Advances, 2022( 29), 18578-18584. doi:10.1039/d2ra02969c
NLM
Fernandes M, Wrasse EO, Koyama CJK, Günther FS, Coutinho DJ. Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) [Internet]. RSC Advances. 2022 ; 2022( 29): 18578-18584.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d2ra02969c
Vancouver
Fernandes M, Wrasse EO, Koyama CJK, Günther FS, Coutinho DJ. Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) [Internet]. RSC Advances. 2022 ; 2022( 29): 18578-18584.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d2ra02969c
Tese (Doutorado)
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
NLM
Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
Vancouver
Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)
Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
NLM
Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Vancouver
Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
NLM
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Vancouver
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Trabalho de evento
Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET (2022)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ALUMÍNIO, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi et al. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Carvalho, H. L., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., Yojo, L. S., & Martino, J. A. (2022). Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
NLM
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
Vancouver
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960

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