Tese

Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)

• Authors:
  • Souza, Adelcio Marques de
  • Romero, Murilo Araujo (Orientador)
• Autor USP: SOUZA, ADÉLCIO MARQUES DE - EESC
• Unidade: EESC
• Sigla do Departamento: SEL
• DOI: 10.11606/T.18.2024.tde-08042024-113044
• Subjects: NANOELETRÔNICA; NANOTECNOLOGIA; TRANSISTORES; ENGENHARIA ELÉTRICA
• Keywords: Modelagem compacta.; Nanotransistores.; Transistores de nanofio sem junções
• Agências de fomento:
  • Financiamento FAPESP
• Language: Português
• Abstract: Diante da iminente saturação da Lei de Moore, a comunidade acadêmica se empenha na exploração de alternativas ao MOSFET convencional de silício, seja inovando nos princípios de funcionamento dos transistores ou adotando materiais recém-descobertos. Diante desse cenário, esta tese apresenta uma análise aprofundada e uma proposta de modelagem compacta para dois tipos de nanodispositivos emergentes: os transistores de nanofio sem junções (JLNWFETs) e os transistores baseados em materiais bidimensionais (2DFETs). Na primeira parte do trabalho, uma investigação detalhada dos JLNWFETs é conduzida, abrangendo desde os princípios de funcionamento até a análise minuciosa dos regimes de operação e de suas características específicas. Ato contínuo, é proposta uma modelagem compacta para JLNWFETs cilíndricos, centrada na descrição intuitiva do dispositivo como um resistor cuja resistividade é controlada pela porta. Incluindo efeitos de canal-curto e outras não-idealidades, são obtidas expressões totalmente analíticas e explícitas para descrever as características de carga, capacitância e corrente destes transistores. A segunda parte deste trabalho explora os 2DFETs, destacando as propriedades fundamentais dos semicondutores bidimensionais e as características ímpares que introduzem à nanoeletrônica. Inicialmente, é feita uma análise crítica do estado-da-arte e da perspectiva futura de emprego destes transistores emergentes. Na sequência, modelos compactos são desenvolvidos para as características de corrente dos 2DFETs, abrangendo desde o transporte de portadores por difusão-deriva até o limite balístico, e incorporando diversasnão-idealidades. Em suma, este trabalho apresenta uma contribuição para a modelagem compacta de nanotransistores avançados, oferecendo tanto análises detalhadas quanto abordagens totalmente analíticas e explícitas para descrever estes dispositivos, antecipando as demandas da indústria de semicondutores.
• Imprenta:
  • Publisher place: São Carlos
  • Date published: 2024
• Data da defesa: 15.02.2024

Informações sobre o DOI: 10.11606/T.18.2024.tde-08042024-113044 (Fonte: oaDOI API)
• Este periódico é de acesso aberto
• Este artigo é de acesso aberto
• URL de acesso aberto
• Cor do Acesso Aberto: gold
• Licença: cc-by-nc-sa

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How to cite

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• ABNT

  SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 12 jan. 2026.

• APA

  Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

• NLM

  Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2026 jan. 12 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

• Vancouver

  Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2026 jan. 12 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

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