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  • Artigo de periodico

    Study of ISFET for KCl sensing (2024)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO, SENSORES BIOMÉDICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, v. 219, p. 1-5, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, 219, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2024.108974

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974

  • Artigo de periodico

    An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET (2024)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Rangel, R C; Duarte, Pedro Henrique; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: GLICOSE, DRENAGEM, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu et al. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, v. 211, n. Ja 2024, p. 1-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Yojo, L. S., Rangel, R. C., Duarte, P. H., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, 211( Ja 2024), 1-6. doi:10.1016/j.sse.2023.108830

    • NLM

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

    • Vancouver

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

  • Trabalho de evento-resumo

    Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors (2024)

    Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e TORRES, Bruno Bassi Millan e FARIA, Gregório Couto. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors. 2024, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2024. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2024). Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors (2024)

    Colucci, Renan ; Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto

    Source: Advanced Electronic Materials. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      COLUCCI, Renan e FEITOSA, Bianca de Andrade e FARIA, Gregório Couto. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, v. 10, n. 2, p. 2300235-1-2300235-8 + supporting information, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Colucci, R., Feitosa, B. de A., & Faria, G. C. (2024). Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, 10( 2), 2300235-1-2300235-8 + supporting information. doi:10.1002/aelm.202300235

    • NLM

      Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235

    • Vancouver

      Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235

  • Tese (Doutorado)

    Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)

    Souza, Adelcio Marques de; Romero, Murilo Araujo (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: NANOELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • NLM

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • Vancouver

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

  • Tese (Doutorado)

    Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (2024)

    Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A. (2024). Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • NLM

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • Vancouver

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Artigo de periodico

    ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Katia Regina Akemi; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SOLUÇÕES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

  • Trabalho de evento-resumo

    High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT (2023)

    Torres, Bruno Bassi Millan ; Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TORRES, Bruno Bassi Millan e LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Torres, B. B. M., Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

    • NLM

      Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

    • Vancouver

      Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

  • Artigo de periodico

    Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide (2023)

    Ferreira, Rafael Cintra Hensel ; Comisso, Nicola ; Musiani, Marco ; Sedona, Francesco ; Sambi, Mauro ; Cester, Andrea ; Lago, Nicolò ; Casalini, Stefano

    Source: Journal of Materials Chemistry C. Unidade: IFSC

    Subjects: COBRE, TRANSISTORES, ELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERREIRA, Rafael Cintra Hensel et al. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, v. 11, n. 26, p. 8876-8884 + supplementary information, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Ferreira, R. C. H., Comisso, N., Musiani, M., Sedona, F., Sambi, M., Cester, A., et al. (2023). Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, 11( 26), 8876-8884 + supplementary information. doi:10.1039/d3tc00596h

    • NLM

      Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h

    • Vancouver

      Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h

  • Artigo de periodico

    Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications (2023)

    Silva, V C P; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729

    • NLM

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

    • Vancouver

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

  • Artigo de periodico

    Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis (2023)

    Silva, Wenita de Lima; Toledo, Rodrigo do Nascimento; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611

    • NLM

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611

    • Vancouver

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611

  • Artigo de periodico

    Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies (2023)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, 38( 9), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/aceb84

    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84

    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84

  • Dissertação (Mestrado)

    Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)

    Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • NLM

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • Vancouver

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)

    Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

    • NLM

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

    • Vancouver

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Trabalho de evento-resumo

    Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach (2023)

    Feitosa, Bianca de Andrade; Torres, Bruno Bassi Millan ; Coutinho, Douglas José ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A., Torres, B. B. M., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2023). Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

    • NLM

      Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

    • Vancouver

      Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

  • Artigo de periodico

    MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f

    • NLM

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

    • Vancouver

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

  • Trabalho de evento-resumo

    Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage (2023)

    Seidel, Keli Fabiana; Lucas Junior, Hélio José; Patrzyk, Jéssica Nayara; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      SEIDEL, Keli Fabiana et al. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Seidel, K. F., Lucas Junior, H. J., Patrzyk, J. N., Luginieski, M., & Serbena, J. P. M. (2023). Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • NLM

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • Vancouver

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy (2023)

    Sousa, Marcos da Silva; Miranda, Paulo Barbeitas

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA, ÓPTICA NÃO LINEAR

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUSA, Marcos da Silva e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/08be3892-cf9b-46f5-ad91-e3597c23fe32/3159767.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Sousa, M. da S., & Miranda, P. B. (2023). Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/08be3892-cf9b-46f5-ad91-e3597c23fe32/3159767.pdf

    • NLM

      Sousa M da S, Miranda PB. Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/08be3892-cf9b-46f5-ad91-e3597c23fe32/3159767.pdf

    • Vancouver

      Sousa M da S, Miranda PB. Mapping the electric field within polymeric transistors by sum-frequency generation microscopy [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/08be3892-cf9b-46f5-ad91-e3597c23fe32/3159767.pdf

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