Menu

Filtros : "TRANSISTORES" "2022" Removido: "Estados Unidos" Limpar

Filtros

Refine with date range

  • 1

1 - 17 (17 records)

  • Artigo de periodico

    Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data (2022)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Silva, Wenita de Lima; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328

    • NLM

      Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328

    • Vancouver

      Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328

  • Trabalho de evento-resumo

    Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach (2022)

    Torres, Bruno Bassi Millan ; Feitosa, Bianca de Andrade; Coutinho, Douglas José; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TORRES, Bruno Bassi Millan et al. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach. 2022, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Torres, B. B. M., Feitosa, B. de A., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2022). Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf

    • NLM

      Torres BBM, Feitosa B de A, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf

    • Vancouver

      Torres BBM, Feitosa B de A, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)

    Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

    • NLM

      Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

    • Vancouver

      Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

  • Artigo de periodico

    Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C (2022)

    Sousa, Julia Cristina Soares; Perina, Welder F; Rangel, Roberto; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUSA, Julia Cristina Soares et al. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, v. 189, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Sousa, J. C. S., Perina, W. F., Rangel, R., Simoen, E., Veloso, A., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, 189, 1-9. doi:10.1016/j.sse.2022.108238

    • NLM

      Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238

    • Vancouver

      Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238

  • Artigo de periodico

    Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SENSOR, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso e SASAKI, Kátia Regina Akemi e MARTINO, João Antonio. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2022). Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.626

    • NLM

      Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626

    • Vancouver

      Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626

  • Artigo de periodico

    Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) (2022)

    Fernandes, Marcelo; Wrasse, Ernesto Osvaldo; Koyama, Caio Junji Kawata; Günther, Florian Steffen ; Coutinho, Douglas José

    Source: RSC Advances. Unidade: IFSC

    Subjects: MATERIAIS ELETRÔNICOS, DIODOS, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERNANDES, Marcelo et al. Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT). RSC Advances, v. 2022, n. 29, p. 18578-18584, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d2ra02969c. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Fernandes, M., Wrasse, E. O., Koyama, C. J. K., Günther, F. S., & Coutinho, D. J. (2022). Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT). RSC Advances, 2022( 29), 18578-18584. doi:10.1039/d2ra02969c

    • NLM

      Fernandes M, Wrasse EO, Koyama CJK, Günther FS, Coutinho DJ. Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) [Internet]. RSC Advances. 2022 ; 2022( 29): 18578-18584.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d2ra02969c

    • Vancouver

      Fernandes M, Wrasse EO, Koyama CJK, Günther FS, Coutinho DJ. Unrevealing the interaction between O2 molecules and poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) [Internet]. RSC Advances. 2022 ; 2022( 29): 18578-18584.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d2ra02969c

  • Tese (Doutorado)

    Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

    • NLM

      Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

    • Vancouver

      Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)

    Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • NLM

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • Vancouver

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • NLM

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • Vancouver

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

  • Trabalho de evento-resumo

    Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors (2022)

    Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., & Faria, G. C. (2022). Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia SFG (2022)

    Sousa, Marcos da Silva; Günther, Florian Steffen ; Miranda, Paulo Barbeitas

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, CAMPO ELETROMAGNÉTICO, ESPECTROSCOPIA, ÓPTICA NÃO LINEAR

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUSA, Marcos da Silva e GÜNTHER, Florian Steffen e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia SFG. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/496575a7-0e30-4340-8ad5-9eb731d8fc64/3121604.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Sousa, M. da S., Günther, F. S., & Miranda, P. B. (2022). Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia SFG. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/496575a7-0e30-4340-8ad5-9eb731d8fc64/3121604.pdf

    • NLM

      Sousa M da S, Günther FS, Miranda PB. Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia SFG [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/496575a7-0e30-4340-8ad5-9eb731d8fc64/3121604.pdf

    • Vancouver

      Sousa M da S, Günther FS, Miranda PB. Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia SFG [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/496575a7-0e30-4340-8ad5-9eb731d8fc64/3121604.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics (2022)

    Feitosa, Bianca de Andrade; Coutinho, Douglas José; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics. 2022, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1b69b32a-ce24-4b8e-a8cb-d3620e247b27/3098464.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A., Coutinho, D. J., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2022). Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/1b69b32a-ce24-4b8e-a8cb-d3620e247b27/3098464.pdf

    • NLM

      Feitosa B de A, Coutinho DJ, Torres BBM, Faria GC. Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1b69b32a-ce24-4b8e-a8cb-d3620e247b27/3098464.pdf

    • Vancouver

      Feitosa B de A, Coutinho DJ, Torres BBM, Faria GC. Influence of the electrolyte composition on p-type organic electrochemical transistor (OECT) characteristics [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1b69b32a-ce24-4b8e-a8cb-d3620e247b27/3098464.pdf

  • Artigo de periodico

    Tunnel-FET evolution and applications for analog circuits (2022)

    Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Rooyackers, Rita ; Claeys, Cor

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SENSOR, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Tunnel-FET evolution and applications for analog circuits. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-7, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.631. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Simoen, E., Rooyackers, R., & Claeys, C. (2022). Tunnel-FET evolution and applications for analog circuits. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-7. doi:10.29292/jics.v17i2.631

    • NLM

      Agopian PGD, Martino JA, Simoen E, Rooyackers R, Claeys C. Tunnel-FET evolution and applications for analog circuits [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-7.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.631

    • Vancouver

      Agopian PGD, Martino JA, Simoen E, Rooyackers R, Claeys C. Tunnel-FET evolution and applications for analog circuits [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-7.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.631

  • Artigo de periodico

    Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications (2022)

    Simoen, Eddy ; Coelho, Carlos Henrique Santos; Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Oliveira, Alberto; Cretu, Bogdan; Veloso, Anabela

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: EP, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, TEMPERATURA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SIMOEN, Eddy et al. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Simoen, E., Coelho, C. H. S., Silva, V. C. P. da, Martino, J. A., Agopian, P. G. D., Oliveira, A., et al. (2022). Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.617

    • NLM

      Simoen E, Coelho CHS, Silva VCP da, Martino JA, Agopian PGD, Oliveira A, Cretu B, Veloso A. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617

    • Vancouver

      Simoen E, Coelho CHS, Silva VCP da, Martino JA, Agopian PGD, Oliveira A, Cretu B, Veloso A. Performance perspective of gate-all-around double nanosheet CMOS beyond high-speed logic applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.617

  • Artigo de periodico

    Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C (2022)

    Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Leal, João Vitor da Costa; Perina, Welder F; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, A; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, NANOTECNOLOGIA, BAIXA TEMPERATURA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Vanessa Cristina Pereira da et al. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 1, p. 1-6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Silva, V. C. P. da, Leal, J. V. da C., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2022). Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v17i1.550

    • NLM

      Silva VCP da, Leal JV da C, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ;17( 1): 1-6.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550

    • Vancouver

      Silva VCP da, Leal JV da C, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ;17( 1): 1-6.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)

    Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

    • NLM

      Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

    • Vancouver

      Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

  • Artigo de periodico

    Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature (2022)

    Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Vanessa Cristina Pereira da et al. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature. Solid State Electronics, v. 191, p. 1-8, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267. Acesso em: 15 set. 2024.

    • APA

      Silva, V. C. P. da, Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2022). Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature. Solid State Electronics, 191, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2022.108267

    • NLM

      Silva VCP da, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;191 1-8.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267

    • Vancouver

      Silva VCP da, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;191 1-8.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267
  • 1

1 - 17 (17 records)

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024