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Artigo de periodico
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices (2010)
Caño de Andrade, Maria Glória ; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
CAÑO DE ANDRADE, Maria Glória e MARTINO, João Antonio. Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 67-74, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474143. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Caño de Andrade, M. G., & Martino, J. A. (2010). Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 67-74. doi:10.1149/1.3474143
NLM
Caño de Andrade MG, Martino JA. Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 67-74.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474143
Vancouver
Caño de Andrade MG, Martino JA. Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 67-74.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474143
Trabalho de evento-resumo
Development of thin film transistors using conjugated polymers and polymeric electrolytes (2010)
Gozzi, Giovani; Faria, Roberto Mendonça ; Santos, Lucas Fugikawa
Source: Abstracts. Conference titles: MRS Fall Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, BLENDAS, FILMES FINOS
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ABNT
GOZZI, Giovani e FARIA, Roberto Mendonça e SANTOS, Lucas Fugikawa. Development of thin film transistors using conjugated polymers and polymeric electrolytes. 2010, Anais.. Warrendale: Materials Research Society - MRS, 2010. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Gozzi, G., Faria, R. M., & Santos, L. F. (2010). Development of thin film transistors using conjugated polymers and polymeric electrolytes. In Abstracts. Warrendale: Materials Research Society - MRS.
NLM
Gozzi G, Faria RM, Santos LF. Development of thin film transistors using conjugated polymers and polymeric electrolytes. Abstracts. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Gozzi G, Faria RM, Santos LF. Development of thin film transistors using conjugated polymers and polymeric electrolytes. Abstracts. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ]
Artigo de periodico
PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Albertin, Katia Franklin ; Santos, Gerson dos; Ramos, Carlos Alberto Santos; Pereyra, Inés ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: EP, IEE
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 116-124, 2010Tradução . . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 116-124.
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2024 set. 15 ]
Dissertação (Mestrado)
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (2010)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2010). Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
NLM
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Vancouver
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Artigo de periodico
Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs (2010)
Rodrigues, M.; Martino, João Antonio ; Mercha, A.; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ELETRODO
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ABNT
RODRIGUES, M. et al. Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs. Solid-State Electronics, v. 54, n. 12, p. 1592-1597, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.07.007. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Rodrigues, M., Martino, J. A., Mercha, A., Collaert, N., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs. Solid-State Electronics, 54( 12), 1592-1597. doi:10.1016/j.sse.2010.07.007
NLM
Rodrigues M, Martino JA, Mercha A, Collaert N, Simoen E, Claeys C. Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2010 ;54( 12): 1592-1597.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.07.007
Vancouver
Rodrigues M, Martino JA, Mercha A, Collaert N, Simoen E, Claeys C. Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2010 ;54( 12): 1592-1597.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.07.007
Artigo de periodico
Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs (2010)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 154-159, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 154-159. doi:10.29292/jics.v5i2.322
NLM
Santos SD dos, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 154-159.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322
Vancouver
Santos SD dos, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 154-159.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322
Tese (Doutorado)
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (2010)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, BAIXA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2010). Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
NLM
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Vancouver
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Artigo de periodico
Characterization of InN thin films grown by IBAD method (2010)
Sparvoli, Marina; Chubaci, José Fernando Diniz ; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidades: EP, IF
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SPARVOLI, Marina e CHUBACI, José Fernando Diniz e MANSANO, Ronaldo Domingues. Characterization of InN thin films grown by IBAD method. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 165-170, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474155. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Sparvoli, M., Chubaci, J. F. D., & Mansano, R. D. (2010). Characterization of InN thin films grown by IBAD method. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 165-170. doi:10.1149/1.3474155
NLM
Sparvoli M, Chubaci JFD, Mansano RD. Characterization of InN thin films grown by IBAD method [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 165-170.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474155
Vancouver
Sparvoli M, Chubaci JFD, Mansano RD. Characterization of InN thin films grown by IBAD method [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 165-170.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474155
Artigo de periodico
Humidity sensor thanks array of suspended gate field effect transistor (2010)
Rodrigues, Bruno da Silva; Sagazan, Olivier; Salaün, Anne Claire; Crand, Samuel; Bihan, France le; Mohammed-Brahim, Tayeb; Bonnaud, Olivier; Morimoto, Nilton Itiro
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SENSOR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Bruno da Silva et al. Humidity sensor thanks array of suspended gate field effect transistor. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 441-448, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474190. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Rodrigues, B. da S., Sagazan, O., Salaün, A. C., Crand, S., Bihan, F. le, Mohammed-Brahim, T., et al. (2010). Humidity sensor thanks array of suspended gate field effect transistor. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 441-448. doi:10.1149/1.3474190
NLM
Rodrigues B da S, Sagazan O, Salaün AC, Crand S, Bihan F le, Mohammed-Brahim T, Bonnaud O, Morimoto NI. Humidity sensor thanks array of suspended gate field effect transistor [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 441-448.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474190
Vancouver
Rodrigues B da S, Sagazan O, Salaün AC, Crand S, Bihan F le, Mohammed-Brahim T, Bonnaud O, Morimoto NI. Humidity sensor thanks array of suspended gate field effect transistor [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 441-448.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474190
Trabalho de evento-resumo
Reduction and elimination of the interfacial barriers in polymeric electroluminescent devices and field effect transistors by using polyelectrolytic materials (2010)
Gozzi, Giovani; Faria, Roberto Mendonça ; Santos, Lucas Fugikawa
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Subjects: LUMINESCÊNCIA, POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES
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ABNT
GOZZI, Giovani e FARIA, Roberto Mendonça e SANTOS, Lucas Fugikawa. Reduction and elimination of the interfacial barriers in polymeric electroluminescent devices and field effect transistors by using polyelectrolytic materials. 2010, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Gozzi, G., Faria, R. M., & Santos, L. F. (2010). Reduction and elimination of the interfacial barriers in polymeric electroluminescent devices and field effect transistors by using polyelectrolytic materials. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
NLM
Gozzi G, Faria RM, Santos LF. Reduction and elimination of the interfacial barriers in polymeric electroluminescent devices and field effect transistors by using polyelectrolytic materials [Internet]. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
Vancouver
Gozzi G, Faria RM, Santos LF. Reduction and elimination of the interfacial barriers in polymeric electroluminescent devices and field effect transistors by using polyelectrolytic materials [Internet]. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
Tese (Doutorado)
Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (2010)
Doria, Rodrigo Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DORIA, Rodrigo Trevisoli. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Doria, R. T. (2010). Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
NLM
Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
Vancouver
Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Vancouver
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Dissertação (Mestrado)
Aspectos de modelagem numérica de transistores de fios quânticos (2010)
Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Romero, Murilo Araujo (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, MÉTODOS NUMÉRICOS, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOBREGA, Rafael Vinicius Tayette da. Aspectos de modelagem numérica de transistores de fios quânticos. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-10082010-150324/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Nobrega, R. V. T. da. (2010). Aspectos de modelagem numérica de transistores de fios quânticos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-10082010-150324/
NLM
Nobrega RVT da. Aspectos de modelagem numérica de transistores de fios quânticos [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-10082010-150324/
Vancouver
Nobrega RVT da. Aspectos de modelagem numérica de transistores de fios quânticos [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-10082010-150324/
Artigo de periodico
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs (2010)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 91-98, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474146. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Martino, M. D. V., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2010). Cross-section features influence on surrounding MuGFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 91-98. doi:10.1149/1.3474146
NLM
Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 91-98.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474146
Vancouver
Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 91-98.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474146
Trabalho de evento
On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors (2010)
Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Proceedings. Conference titles: Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, EQUAÇÕES NÃO LINEARES, PROCESSOS DE POISSON
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOBREGA, Rafael Vinicius Tayette da e RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors. 2010, Anais.. Montevideo: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2010. Disponível em: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Nobrega, R. V. T. da, Ragi, R., & Romero, M. A. (2010). On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors. In Proceedings. Montevideo: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376
NLM
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors [Internet]. Proceedings. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376
Vancouver
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors [Internet]. Proceedings. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376
Trabalho de evento-resumo
Nanostructured dendritic LbL films as plataform to ENFET biosensors (2010)
Vieira, Nirton C.; Figueiredo, Alessandra; Fernandes, Edson; Queiroz, Alvaro de; Zucolotto, Valtencir; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Abstracts. Conference titles: MRS Fall Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENZIMAS, FILMES FINOS, SENSOR
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ABNT
VIEIRA, Nirton C. et al. Nanostructured dendritic LbL films as plataform to ENFET biosensors. 2010, Anais.. Warrendale: Materials Research Society - MRS, 2010. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Vieira, N. C., Figueiredo, A., Fernandes, E., Queiroz, A. de, Zucolotto, V., & Guimarães, F. E. G. (2010). Nanostructured dendritic LbL films as plataform to ENFET biosensors. In Abstracts. Warrendale: Materials Research Society - MRS.
NLM
Vieira NC, Figueiredo A, Fernandes E, Queiroz A de, Zucolotto V, Guimarães FEG. Nanostructured dendritic LbL films as plataform to ENFET biosensors. Abstracts. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ]
Vancouver
Vieira NC, Figueiredo A, Fernandes E, Queiroz A de, Zucolotto V, Guimarães FEG. Nanostructured dendritic LbL films as plataform to ENFET biosensors. Abstracts. 2010 ;[citado 2024 set. 15 ]
Artigo de periodico
Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs (2010)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Rooyackers, Rita; Collaert, Nadine
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 168-173, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.324. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., Simoen, E., Claeys, C., Rooyackers, R., & Collaert, N. (2010). Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 168-173. doi:10.29292/jics.v5i2.324
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Simoen E, Claeys C, Rooyackers R, Collaert N. Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 168-173.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.324
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Simoen E, Claeys C, Rooyackers R, Collaert N. Performance of source follower buffers implemented with standard and strained triple-gate nFinFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 168-173.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.324
Artigo de periodico
Crowbar system in doubly fed induction wind generators (2010)
Salles, Maurício Barbosa de Camargo ; Hameyer, Kay ; Cardoso, José Roberto ; Pavani, Ahda Pionkoski Grilo ; Rahmann, Claudia
Source: IEEE Transactions on Industrial Electronics. Unidade: EP
Subjects: ENERGIA EÓLICA, TRANSISTORES, TURBINAS
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ABNT
SALLES, Maurício Barbosa de Camargo et al. Crowbar system in doubly fed induction wind generators. IEEE Transactions on Industrial Electronics, v. 3, n. 9, p. 738-753, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/en3040738. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Salles, M. B. de C., Hameyer, K., Cardoso, J. R., Pavani, A. P. G., & Rahmann, C. (2010). Crowbar system in doubly fed induction wind generators. IEEE Transactions on Industrial Electronics, 3( 9), 738-753. doi:10.3390/en3040738
NLM
Salles MB de C, Hameyer K, Cardoso JR, Pavani APG, Rahmann C. Crowbar system in doubly fed induction wind generators [Internet]. IEEE Transactions on Industrial Electronics. 2010 ; 3( 9): 738-753.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.3390/en3040738
Vancouver
Salles MB de C, Hameyer K, Cardoso JR, Pavani APG, Rahmann C. Crowbar system in doubly fed induction wind generators [Internet]. IEEE Transactions on Industrial Electronics. 2010 ; 3( 9): 738-753.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.3390/en3040738
Artigo de periodico
Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness (2010)
Galeti, Milene; Rodrigues, Michele; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALETI, Milene et al. Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 59-65, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474142. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Galeti, M., Rodrigues, M., Collaert, N., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2010). Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 59-65. doi:10.1149/1.3474142
NLM
Galeti M, Rodrigues M, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 59-65.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474142
Vancouver
Galeti M, Rodrigues M, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 59-65.[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474142

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