Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs (2010)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2010.07.007
- Subjects: TRANSISTORES; ELETRODO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid-State Electronics
- ISSN: 0378-7796
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.54, n.12, p. 1592-1597, 2010
- Status:
- Nenhuma versão em acesso aberto identificada
-
ABNT
RODRIGUES, M. et al. Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs. Solid-State Electronics, v. 54, n. 12, p. 1592-1597, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.07.007. Acesso em: 24 mar. 2026. -
APA
Rodrigues, M., Martino, J. A., Mercha, A., Collaert, N., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs. Solid-State Electronics, 54( 12), 1592-1597. doi:10.1016/j.sse.2010.07.007 -
NLM
Rodrigues M, Martino JA, Mercha A, Collaert N, Simoen E, Claeys C. Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2010 ;54( 12): 1592-1597.[citado 2026 mar. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.07.007 -
Vancouver
Rodrigues M, Martino JA, Mercha A, Collaert N, Simoen E, Claeys C. Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2010 ;54( 12): 1592-1597.[citado 2026 mar. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.07.007 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
- Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Combined l and series resistance extraction of ldd mosfets
- Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets
- Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
- The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
- Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
- Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
