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ABNT
NEVES, José Antônio Rocha das. Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 09 out. 2024. , 2003
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Neves, J. A. R. das. (2003). Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. São Paulo: EPUSP.
NLM
Neves JAR das. Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Neves JAR das. Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio e PAVANELLO, Marcelo Antonio. Determination of the silicon film thickness and back oxide charge density on graded-channel SOI nMOSFETs. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 09 out. 2024.
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Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Pavanello MA. Determination of the silicon film thickness and back oxide charge density on graded-channel SOI nMOSFETs. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]
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SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 09 out. 2024.
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Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]
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ECHAVARRIA CIFUENTES, Rubén Dario. Estudo e projeto de um misturador CMOS para RF. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 09 out. 2024.
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Vancouver
Echavarria Cifuentes RD. Estudo e projeto de um misturador CMOS para RF. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
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Vancouver
Samara JPPL, Strum M. Projeto digital utilizando placa de prototipagem com FPGA e microprocessador [Internet]. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
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Vancouver
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ABNT
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ALMEIDA, Galba Falce de e NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio. Study of series resistance and effective channel length behavior comparing graded-channel and conventional SOI nMOSFETs. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 09 out. 2024.
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Vancouver
Almeida GF de, Nicolett AS, Martino JA. Study of series resistance and effective channel length behavior comparing graded-channel and conventional SOI nMOSFETs. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]
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REIS, Ronaldo Willian et al. Formation of nickel silicides onto (100) silicon wafer surfaces using a thin platinum interlayer. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 09 out. 2024.
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Reis RW, Santos Filho SG dos, Doi I, Swart JW. Formation of nickel silicides onto (100) silicon wafer surfaces using a thin platinum interlayer. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]
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SANTOS, Emerson Roberto. Tratamento de filmes de óxido de índio e estanho (ITO) para utilização em diodos poliméricos emissores de luz. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 09 out. 2024.
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Santos, E. R. (2003). Tratamento de filmes de óxido de índio e estanho (ITO) para utilização em diodos poliméricos emissores de luz (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
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Santos ER. Tratamento de filmes de óxido de índio e estanho (ITO) para utilização em diodos poliméricos emissores de luz. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
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ABNT
MOUSINHO, Ana Paula e MANSANO, Ronaldo Domingues e ARRUDA, Antonio Carlos Santos de. Generation and characterization of polymeric tridimentional microstructure for micromachine application. . Dearborn: Society of Manufacturing Engineers. . Acesso em: 09 out. 2024. , 2003
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Mousinho, A. P., Mansano, R. D., & Arruda, A. C. S. de. (2003). Generation and characterization of polymeric tridimentional microstructure for micromachine application. Dearborn: Society of Manufacturing Engineers.
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Vancouver
Mousinho AP, Mansano RD, Arruda ACS de. Generation and characterization of polymeric tridimentional microstructure for micromachine application. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
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Vancouver
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NEVES, José Antônio Rocha das et al. Low operating voltage of an ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 09 out. 2024.
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Vancouver
Neves JAR das, Andrade AM de, Dirani EAT, Santos ER, Fonseca FJ. Low operating voltage of an ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]
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ABNT
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Souza, S. G. de. (2003). Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
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Souza SG de. Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Souza SG de. Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
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ABNT
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Próspero Sanchez PL. El derecho de la propriedad industrial y el futuro de la microelectrónica en Latinoamérica. Ponencias. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Próspero Sanchez PL. El derecho de la propriedad industrial y el futuro de la microelectrónica en Latinoamérica. Ponencias. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
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Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6
Vancouver
Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6
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SILVA, José Alberto Fracassi da et al. Simulations of silicon microstructure for preconcentration of metallic ions. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c522e842-8ccc-410e-9a47-c4e00003c8a1/pereira-2003-simulations%20of%20silicon%20microstructure.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
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Silva, J. A. F. da, Furlan, R., Simões, E. W., Silva, M. L. P. da, & Pereira, M. T. (2003). Simulations of silicon microstructure for preconcentration of metallic ions. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c522e842-8ccc-410e-9a47-c4e00003c8a1/pereira-2003-simulations%20of%20silicon%20microstructure.pdf
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Silva JAF da, Furlan R, Simões EW, Silva MLP da, Pereira MT. Simulations of silicon microstructure for preconcentration of metallic ions [Internet]. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c522e842-8ccc-410e-9a47-c4e00003c8a1/pereira-2003-simulations%20of%20silicon%20microstructure.pdf
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Silva JAF da, Furlan R, Simões EW, Silva MLP da, Pereira MT. Simulations of silicon microstructure for preconcentration of metallic ions [Internet]. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c522e842-8ccc-410e-9a47-c4e00003c8a1/pereira-2003-simulations%20of%20silicon%20microstructure.pdf
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ABNT
REYES BETANZO, C et al. Fabrication of submicron structures in polycristalline silicon by reactive ion etching using fluorine- and chlorine- containing plasmas. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 09 out. 2024.
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Reyes Betanzo, C., Moshkalyov, S. A., Seabra, A. C., & Swart, J. W. (2003). Fabrication of submicron structures in polycristalline silicon by reactive ion etching using fluorine- and chlorine- containing plasmas. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
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Reyes Betanzo C, Moshkalyov SA, Seabra AC, Swart JW. Fabrication of submicron structures in polycristalline silicon by reactive ion etching using fluorine- and chlorine- containing plasmas. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]
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Reyes Betanzo C, Moshkalyov SA, Seabra AC, Swart JW. Fabrication of submicron structures in polycristalline silicon by reactive ion etching using fluorine- and chlorine- containing plasmas. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]