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Trabalho de evento-resumo
Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures (2005)
Goussev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Seabra, Antonio Carlos
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOUSSEV, Guennadii Michailovich et al. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Goussev, G. M., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Seabra, A. C. (2005). Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
NLM
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
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Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well (2005)
Duarte, Cesário Antonio; Gusev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, FO
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
DUARTE, Cesário Antonio et al. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Duarte, C. A., Gusev, G. M., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2005). Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
NLM
Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
Vancouver
Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
Artigo de periodico
Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field (2004)
Gousev, Guennadii Michailovich; Sergio, C. S.; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O.; Portal, J. C.
Source: Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GOUSEV, Guennadii Michailovich et al. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gousev, G. M., Sergio, C. S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2004). Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf
NLM
Gousev GM, Sergio CS, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field [Internet]. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf
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Gousev GM, Sergio CS, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field [Internet]. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf
Artigo de periodico
Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Trabalho de evento-resumo
Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain (2003)
Gomes, Paulo F; Godoy, M P F; Nakaema, M K K; Iikawa, F; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOMES, Paulo F et al. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gomes, P. F., Godoy, M. P. F., Nakaema, M. K. K., Iikawa, F., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
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Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SILVA, M J da et al. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 631-633. doi:10.1016/s0026-2692(03)00066-1
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Trabalho de evento-resumo
Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces (2003)
Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, M. J. da; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
QUIVY, A. A. et al. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, M. J. da, & Silva, E. C. F. da. (2003). Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)
Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SÉRGIO, C. S. et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 763-766, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 763-766. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Trabalho de evento-resumo
Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy (2003)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2003). Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well (2003)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, v. 67, n. 155313/1-155313/8, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, 67( 155313/1-155313/8). doi:10.1103/physrevb.67.155313
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
Artigo de periodico
Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix (2003)
Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERCOMPUTADORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1-4, p. 181-185, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, 251( 1-4), 181-185. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 251( 1-4): 181-185.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
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Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 251( 1-4): 181-185.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Artigo de periodico
Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level (2002)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I; Estibals, O; Portal, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level. Physical Review B, v. 65, n. 20, p. 205316/1-205316/9, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., et al. (2002). Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level. Physical Review B, 65( 20), 205316/1-205316/9. doi:10.1103/physrevb.65.205316
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 20): 205316/1-205316/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316
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Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 20): 205316/1-205316/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316

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