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Artigo de periodico
Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs (2022)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EESC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs. Microelectronics Journal, v. 119, p. 1-8, 2022Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2022). Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs. Microelectronics Journal, 119, 1-8. doi:10.1016/j.mejo.2021.105324
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. Microelectronics Journal. 2022 ; 119 1-8.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. Microelectronics Journal. 2022 ; 119 1-8.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324
Artigo de periodico
Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals (2009)
Huanca, Danilo Roque ; Raimundo, Daniel Scodeler; Salcedo, Walter Jaimes
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA, ELETROQUÍMICA
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ABNT
HUANCA, Danilo Roque e RAIMUNDO, Daniel Scodeler e SALCEDO, Walter Jaimes. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals. Microelectronics Journal, v. 40, n. 4-5, p. 744-748, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Huanca, D. R., Raimundo, D. S., & Salcedo, W. J. (2009). Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals. Microelectronics Journal, 40( 4-5), 744-748. doi:10.1016/j.mejo.2008.11.005
NLM
Huanca DR, Raimundo DS, Salcedo WJ. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 744-748.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005
Vancouver
Huanca DR, Raimundo DS, Salcedo WJ. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 744-748.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005
Artigo de periodico
Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis (2009)
Raimundo, Daniel Scodeler; Calíope, Priscila Braga; Huanca, Danilo Roque ; Salcedo, Walter Jaimes
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAIMUNDO, Daniel Scodeler et al. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis. Microelectronics Journal, v. 40, n. 4-5, p. 844-847, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Raimundo, D. S., Calíope, P. B., Huanca, D. R., & Salcedo, W. J. (2009). Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis. Microelectronics Journal, 40( 4-5), 844-847. doi:10.1016/j.mejo.2008.11.024
NLM
Raimundo DS, Calíope PB, Huanca DR, Salcedo WJ. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 844-847.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024
Vancouver
Raimundo DS, Calíope PB, Huanca DR, Salcedo WJ. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 844-847.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024
Artigo de periodico
Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres (2009)
Macatrão, M.; Peres, M.; Rubinger, Carla Patricia Lacerda; Soares, M. J.; Costa, L. C.; Costa, F. M.; Monteiro, T.; Franco, N.; Alves, E.; Saggioro, Bruno Zaniboni; Andreeta, Marcello Rubens Barsi ; Hernandes, Antônio Carlos
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Subjects: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, FIBRAS (ESTUDO), TÂNTALO, TERRAS RARAS
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ABNT
MACATRÃO, M. et al. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres. Microelectronics Journal, v. 40, n. 2, p. 309-312, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Macatrão, M., Peres, M., Rubinger, C. P. L., Soares, M. J., Costa, L. C., Costa, F. M., et al. (2009). Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres. Microelectronics Journal, 40( 2), 309-312. doi:10.1016/j.mejo.2008.07.033
NLM
Macatrão M, Peres M, Rubinger CPL, Soares MJ, Costa LC, Costa FM, Monteiro T, Franco N, Alves E, Saggioro BZ, Andreeta MRB, Hernandes AC. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 2): 309-312.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033
Vancouver
Macatrão M, Peres M, Rubinger CPL, Soares MJ, Costa LC, Costa FM, Monteiro T, Franco N, Alves E, Saggioro BZ, Andreeta MRB, Hernandes AC. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 2): 309-312.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033
Artigo de periodico
Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel (2008)
Garzon, Carlos Mario; Alfonso Jose E; Corredor, Edna C; Recco, Abel André Cândido ; Tschiptschin, André Paulo
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Subjects: TITÂNIO, LIGAS NÃO FERROSAS
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ABNT
GARZON, Carlos Mario et al. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel. Microelectronics Journal, v. 39, p. 1329-1330, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Garzon, C. M., Alfonso Jose E,, Corredor, E. C., Recco, A. A. C., & Tschiptschin, A. P. (2008). Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel. Microelectronics Journal, 39, 1329-1330. doi:10.1016/j.mejo.2008.01.047
NLM
Garzon CM, Alfonso Jose E, Corredor EC, Recco AAC, Tschiptschin AP. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel [Internet]. Microelectronics Journal. 2008 ; 39 1329-1330.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047
Vancouver
Garzon CM, Alfonso Jose E, Corredor EC, Recco AAC, Tschiptschin AP. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel [Internet]. Microelectronics Journal. 2008 ; 39 1329-1330.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047
Artigo de periodico
I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires (2006)
Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EESC
Subjects: EMISSÃO TERMOIÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, v. No 2006, n. 11, p. 1261-1264, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Ragi, R., & Romero, M. A. (2006). I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, No 2006( 11), 1261-1264. doi:10.1016/j.mejo.2006.06.006
NLM
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006
Vancouver
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006
Artigo de periodico
Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
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ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Artigo de periodico
Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)
Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, Alain André ; Morais, P C
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003
NLM
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Vancouver
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Artigo de periodico-carta/editorial
Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] (2005)
Silva Junior, E. F. da; Henini, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Microelectronics Journal. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA JUNIOR, E. F. da et al. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 18 fev. 2026. , 2005
APA
Silva Junior, E. F. da, Henini, M., Scolfaro, L. M. R., & Sipahi, G. M. (2005). Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Trabalho de evento-anais periodico
Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications (2005)
Rodrigues, S. C. P.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Conference titles: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 18 fev. 2026. , 2005
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2026 fev. 18 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2026 fev. 18 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells (2005)
D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Conference titles: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
D'EURYDICE, Marcel Nogueira et al. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 18 fev. 2026. , 2005
APA
D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2026 fev. 18 ]
Vancouver
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2026 fev. 18 ]
Artigo de periodico
Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices (2005)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA JUNIOR, E. F. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, v. 36, n. Ju 2005, p. 434-437, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, 36( Ju 2005), 434-437. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.041
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Artigo de periodico
Roughness and nanoholes in sol-gel thin films (2005)
Antunes, A; Amaral, T; Brito, Giancarlo Espósito de Souza ; Abramof, E; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTUNES, A et al. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 567-569, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Antunes, A., Amaral, T., Brito, G. E. de S., Abramof, E., & Morelhão, S. L. (2005). Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 567-569. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.078
NLM
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhão SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Vancouver
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhão SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Artigo de periodico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Morelhão, Sérgio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Artigo de periodico
Correlation energy of coupled double electron layers (2003)
Candido, L.; Hai, Guo-Qiang
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CANDIDO, L. e HAI, Guo-Qiang. Correlation energy of coupled double electron layers. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5/8, p. 569-570, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Candido, L., & Hai, G. -Q. (2003). Correlation energy of coupled double electron layers. Microelectronics Journal, 34( 5/8), 569-570. doi:10.1016/s0026-2692(03)00050-8
NLM
Candido L, Hai G-Q. Correlation energy of coupled double electron layers [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5/8): 569-570.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8
Vancouver
Candido L, Hai G-Q. Correlation energy of coupled double electron layers [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5/8): 569-570.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8
Artigo de periodico
High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films (2003)
Mousinho, Ana Paula; Mansano, Ronaldo Domingues ; Massi, Marcos; Zambom, Luís da Silva
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assunto: PLASMA (MICROELETRÔNICA)
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ABNT
MOUSINHO, Ana Paula et al. High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 627-629, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00065-x. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Mousinho, A. P., Mansano, R. D., Massi, M., & Zambom, L. da S. (2003). High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 627-629. doi:10.1016/s0026-2692(03)00065-x
NLM
Mousinho AP, Mansano RD, Massi M, Zambom L da S. High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 627-629.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00065-x
Vancouver
Mousinho AP, Mansano RD, Massi M, Zambom L da S. High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 627-629.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00065-x
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 481-484, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 481-484. doi:10.1016/s0026-2692(03)00078-8
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 481-484.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 481-484.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8
Artigo de periodico
Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides (2003)
Pereira, L S; Santos, A M; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: TERMODINÂMICA, CALOR ESPECÍFICO
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ABNT
PEREIRA, L S et al. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 655-657, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Pereira, L. S., Santos, A. M., Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (2003). Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 655-657. doi:10.1016/s0026-2692(03)00088-0
NLM
Pereira LS, Santos AM, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 655-657.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0
Vancouver
Pereira LS, Santos AM, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 655-657.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0
Artigo de periodico
The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films (2003)
Guerino, M.; Massi, Marcos; Maciel, Homero Santiago; Otani, C.; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assunto: PLASMA (MICROELETRÔNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUERINO, M. et al. The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00079-x. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Guerino, M., Massi, M., Maciel, H. S., Otani, C., & Mansano, R. D. (2003). The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films. Microelectronics Journal, 34( 5-8). doi:10.1016/s0026-2692(03)00079-x
NLM
Guerino M, Massi M, Maciel HS, Otani C, Mansano RD. The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8):[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00079-x
Vancouver
Guerino M, Massi M, Maciel HS, Otani C, Mansano RD. The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8):[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00079-x
Artigo de periodico
Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells (2003)
Pereira, T A S; Freire, J A K; Freire, V N; Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E F da
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: LUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, T A S et al. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, v. 34, p. 507-509, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 18 fev. 2026.
APA
Pereira, T. A. S., Freire, J. A. K., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. da. (2003). Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, 34, 507-509. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

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