Correlation energy of coupled double electron layers (2003)
- Authors:
- Autor USP: GUOQIANG, HAI - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/s0026-2692(03)00050-8
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Microelectronics Journal
- ISSN: 0026-2692
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 34, n. 5/8, p. 569-570, May/Aug. 2003
- Status:
- Nenhuma versão em acesso aberto identificada
-
ABNT
CANDIDO, L. e HAI, Guo-Qiang. Correlation energy of coupled double electron layers. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5/8, p. 569-570, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8. Acesso em: 09 abr. 2026. -
APA
Candido, L., & Hai, G. -Q. (2003). Correlation energy of coupled double electron layers. Microelectronics Journal, 34( 5/8), 569-570. doi:10.1016/s0026-2692(03)00050-8 -
NLM
Candido L, Hai G-Q. Correlation energy of coupled double electron layers [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5/8): 569-570.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8 -
Vancouver
Candido L, Hai G-Q. Correlation energy of coupled double electron layers [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5/8): 569-570.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8 - A theoretical study of aluminum hydride clusters
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