Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
- Authors:
- Autor USP: VERCIK, ANDRES - FZEA
- Unidade: FZEA
- DOI: 10.1016/j.mejo.2005.04.013
- Subjects: MICROELETRÔNICA; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; DIODOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Microelectronics Journal
- ISSN: 0026-2692
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 36, n. 11, p. 1038-1040, nov. 2005
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 19 fev. 2026. -
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013 -
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013 -
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013 - Development of gelatin/HA membranes
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mejo.2005.04.013 (Fonte: oaDOI API)
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