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Artigo de periodico
Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs (2022)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EESC
Assuntos: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs. Microelectronics Journal, v. 119, p. 1-8, 2022Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2022). Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs. Microelectronics Journal, 119, 1-8. doi:10.1016/j.mejo.2021.105324
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. Microelectronics Journal. 2022 ; 119 1-8.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. Microelectronics Journal. 2022 ; 119 1-8.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324
Artigo de periodico
Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals (2009)
Huanca, Danilo Roque ; Raimundo, Daniel Scodeler; Salcedo, Walter Jaimes
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA, ELETROQUÍMICA
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ABNT
HUANCA, Danilo Roque e RAIMUNDO, Daniel Scodeler e SALCEDO, Walter Jaimes. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals. Microelectronics Journal, v. 40, n. 4-5, p. 744-748, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Huanca, D. R., Raimundo, D. S., & Salcedo, W. J. (2009). Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals. Microelectronics Journal, 40( 4-5), 744-748. doi:10.1016/j.mejo.2008.11.005
NLM
Huanca DR, Raimundo DS, Salcedo WJ. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 744-748.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005
Vancouver
Huanca DR, Raimundo DS, Salcedo WJ. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 744-748.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005
Artigo de periodico
Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis (2009)
Raimundo, Daniel Scodeler; Calíope, Priscila Braga; Huanca, Danilo Roque ; Salcedo, Walter Jaimes
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAIMUNDO, Daniel Scodeler et al. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis. Microelectronics Journal, v. 40, n. 4-5, p. 844-847, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Raimundo, D. S., Calíope, P. B., Huanca, D. R., & Salcedo, W. J. (2009). Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis. Microelectronics Journal, 40( 4-5), 844-847. doi:10.1016/j.mejo.2008.11.024
NLM
Raimundo DS, Calíope PB, Huanca DR, Salcedo WJ. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 844-847.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024
Vancouver
Raimundo DS, Calíope PB, Huanca DR, Salcedo WJ. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 844-847.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024
Artigo de periodico
Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel (2008)
Garzon, Carlos Mario; Alfonso Jose E; Corredor, Edna C; Recco, Abel André Cândido ; Tschiptschin, André Paulo
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assuntos: TITÂNIO, LIGAS NÃO FERROSAS
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ABNT
GARZON, Carlos Mario et al. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel. Microelectronics Journal, v. 39, p. 1329-1330, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Garzon, C. M., Alfonso Jose E,, Corredor, E. C., Recco, A. A. C., & Tschiptschin, A. P. (2008). Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel. Microelectronics Journal, 39, 1329-1330. doi:10.1016/j.mejo.2008.01.047
NLM
Garzon CM, Alfonso Jose E, Corredor EC, Recco AAC, Tschiptschin AP. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel [Internet]. Microelectronics Journal. 2008 ; 39 1329-1330.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047
Vancouver
Garzon CM, Alfonso Jose E, Corredor EC, Recco AAC, Tschiptschin AP. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel [Internet]. Microelectronics Journal. 2008 ; 39 1329-1330.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047
Artigo de periodico
I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires (2006)
Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EESC
Assuntos: EMISSÃO TERMOIÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, v. No 2006, n. 11, p. 1261-1264, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Ragi, R., & Romero, M. A. (2006). I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, No 2006( 11), 1261-1264. doi:10.1016/j.mejo.2006.06.006
NLM
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006
Vancouver
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006
Artigo de periodico
Roughness and nanoholes in sol-gel thin films (2005)
Antunes, A; Amaral, T; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Abramof, E; Morelhao, Sergio Luiz
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
ANTUNES, A et al. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 567-569, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Antunes, A., Amaral, T., Brito, G. E. de S., Abramof, E., & Morelhao, S. L. (2005). Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 567-569. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.078
NLM
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhao SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Vancouver
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhao SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Artigo de periodico
Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
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ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Artigo de periodico
Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)
Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, A. A.; Morais, P C
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003
NLM
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Vancouver
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Artigo de periodico
Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices (2005)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA JUNIOR, E. F. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, v. 36, n. Ju 2005, p. 434-437, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, 36( Ju 2005), 434-437. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.041
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells (2005)
D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Silva Junior, E. F.
Fonte: Microelectronics Journal. Nome do evento: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
D'EURYDICE, Marcel Nogueira et al. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 23 out. 2025. , 2005
APA
D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2025 out. 23 ]
Vancouver
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2025 out. 23 ]
Artigo de periodico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, A. A.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Artigo de periodico-carta/editorial
Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] (2005)
Silva Junior, E. F. da; Henini, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Microelectronics Journal. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA JUNIOR, E. F. da et al. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 23 out. 2025. , 2005
APA
Silva Junior, E. F. da, Henini, M., Scolfaro, L. M. R., & Sipahi, G. M. (2005). Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Trabalho de evento-anais periodico
Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications (2005)
Rodrigues, S. C. P.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Fonte: Microelectronics Journal. Nome do evento: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 23 out. 2025. , 2005
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2025 out. 23 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2025 out. 23 ]
Artigo de periodico
The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)
Rodríguez Coppola, H; Tutor Sánchez, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; García Moliner, F
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Artigo de periodico
Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces (2004)
Marega Junior, Euclydes ; Oliveira, R. M.; Souza, C. A.; Arakaki, Haroldo; González-Borrero, P. P.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERCONDUTIVIDADE, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAREGA JUNIOR, Euclydes et al. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces. Microelectronics Journal, v. 35, n. Ja 2004, p. 41-43, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Marega Junior, E., Oliveira, R. M., Souza, C. A., Arakaki, H., & González-Borrero, P. P. (2004). Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces. Microelectronics Journal, 35( Ja 2004), 41-43. doi:10.1016/s0026-2692(03)00221-0
NLM
Marega Junior E, Oliveira RM, Souza CA, Arakaki H, González-Borrero PP. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ; 35( Ja 2004): 41-43.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0
Vancouver
Marega Junior E, Oliveira RM, Souza CA, Arakaki H, González-Borrero PP. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ; 35( Ja 2004): 41-43.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys (2004)
Teles, L K; Marques, M; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TERMODINÂMICA
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ABNT
TELES, L K et al. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00218-0
NLM
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Vancouver
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Artigo de periodico
Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Artigo de periodico
H-band emission in single heterojunctions (2003)
Qu, Fanyao; Lino, Antônio Tadeu; Dantas, N O; Morais, P C; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QU, Fanyao et al. H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 755-757, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Qu, F., Lino, A. T., Dantas, N. O., Morais, P. C., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 755-757. doi:10.1016/s0026-2692(03)00119-8
NLM
Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8
Vancouver
Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8
Artigo de periodico
Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Nogueira, R A; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 725-727, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 725-727. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

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