ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells (1998)
Osório, Francisco Aparecido Pinto; Maialle, Marcelo Zoega; Hipólito, Oscar
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSÓRIO, Francisco Aparecido Pinto e MAIALLE, Marcelo Zoega e HIPÓLITO, Oscar. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B, v. 57, n. 3, p. 1644-1648, 1998Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Osório, F. A. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1998). Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B, 57( 3), 1644-1648.
NLM
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B. 1998 ; 57( 3): 1644-1648.[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B. 1998 ; 57( 3): 1644-1648.[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s (1998)
Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araujo ; Hipólito, Oscar
Source: IEEE Journal of Quantum Electronics. Unidades: EESC, IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araujo e HIPÓLITO, Oscar. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 34, n. 12, p. 2314-2320, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/3.736099. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, 34( 12), 2314-2320. doi:10.1109/3.736099
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099
Trabalho de evento-resumo
Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs (1998)
Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Source: Book of abstracts. Conference titles: International Conference on Superlattices, Microructures, and Microdevices. Unidades: EESC, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs. 1998, Anais.. Hurghada: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs. In Book of abstracts. Hurghada: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs. Book of abstracts. 1998 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs. Book of abstracts. 1998 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs (1998)
Manzoli, J E; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings. Conference titles: European Solid-State Device Research Conference. Unidades: EESC, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J E e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs. 1998, Anais.. Bordeaux: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs. In Proceedings. Bordeaux: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs. Proceedings. 1998 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs. Proceedings. 1998 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.) (1997)
Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Superlattices, Microructures, and Microdevices. Unidades: EESC, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.). 1997, Anais.. Lincoln: University of Nebraska, 1997. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1997). Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.). In Abstracts. Lincoln: University of Nebraska.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.). Abstracts. 1997 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.). Abstracts. 1997 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure (1997)
Bosquetti, D; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar; Marega Junior, Euclydes
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOSQUETTI, D et al. Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. 1997, Anais.. Águas de Lindóia: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Bosquetti, D., Basmaji, P., Hipólito, O., & Marega Junior, E. (1997). Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. In . Águas de Lindóia: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Junior E. Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. 1997 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Junior E. Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. 1997 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires (1997)
Borges, A N; Leao, S A; Hipólito, Oscar
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORGES, A N e LEAO, S A e HIPÓLITO, Oscar. Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires. Physical Review B, v. 55, n. 7 , p. 4680-4683, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.55.4680. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Borges, A. N., Leao, S. A., & Hipólito, O. (1997). Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires. Physical Review B, 55( 7 ), 4680-4683. doi:10.1103/physrevb.55.4680
NLM
Borges AN, Leao SA, Hipólito O. Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 55( 7 ): 4680-4683.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.55.4680
Vancouver
Borges AN, Leao SA, Hipólito O. Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 55( 7 ): 4680-4683.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.55.4680
Trabalho de evento
Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping (1997)
Manzoli, J. E.; Hipólito, Oscar
Source: Materials Research Society Symposium Proceedings. Conference titles: MRS Fall Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J. E. e HIPÓLITO, Oscar. Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping. 1997, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1997. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-450-439. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1997). Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 450). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-450-439
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1997 ; 450[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-450-439
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1997 ; 450[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-450-439
Parte de monografia/livro
Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs (1997)
Manzoli, José Eduardo; Hipólito, Oscar
Source: Materials modification and synthesis by ion beam processing. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e HIPÓLITO, Oscar. Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs. Materials modification and synthesis by ion beam processing. Tradução . Pittsburgh: Materials Research Society, 1997. . . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1997). Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs. In Materials modification and synthesis by ion beam processing. Pittsburgh: Materials Research Society.
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs. In: Materials modification and synthesis by ion beam processing. Pittsburgh: Materials Research Society; 1997. [citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs. In: Materials modification and synthesis by ion beam processing. Pittsburgh: Materials Research Society; 1997. [citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure (1997)
Bosquetti, Diogenes; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar; Marega Junior, Euclydes
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOSQUETTI, Diogenes et al. Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 308-311, 1997Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Bosquetti, D., Basmaji, P., Hipólito, O., & Marega Junior, E. (1997). Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 308-311.
NLM
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Junior E. Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 308-311.[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Junior E. Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 308-311.[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets (1996)
Manzoli, J E; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings. Conference titles: Materials Research Society Fall Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J E e HIPÓLITO, Oscar. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. 1996, Anais.. Boston: Materials Research Society, 1996. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1996). Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. In Proceedings. Boston: Materials Research Society.
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density (1996)
Maialle, M Z; Hipólito, Oscar
Source: American Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIALLE, M Z e HIPÓLITO, Oscar. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density. American Journal of Physics, v. 64, n. 4 , p. 434-6, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1119/1.18186. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1996). Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density. American Journal of Physics, 64( 4 ), 434-6. doi:10.1119/1.18186
NLM
Maialle MZ, Hipólito O. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density [Internet]. American Journal of Physics. 1996 ;64( 4 ): 434-6.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1119/1.18186
Vancouver
Maialle MZ, Hipólito O. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density [Internet]. American Journal of Physics. 1996 ;64( 4 ): 434-6.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1119/1.18186
Trabalho de evento-resumo
Modelo teorico de fio quantico (1996)
Mosman Junior, E. O.; Hipólito, Oscar
Source: [Resumos]. Conference titles: Simpósio de Iniciação Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOSMAN JUNIOR, E. O. e HIPÓLITO, Oscar. Modelo teorico de fio quantico. 1996, Anais.. São Carlos: USP, 1996. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Mosman Junior, E. O., & Hipólito, O. (1996). Modelo teorico de fio quantico. In [Resumos]. São Carlos: USP.
NLM
Mosman Junior EO, Hipólito O. Modelo teorico de fio quantico. [Resumos]. 1996 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Mosman Junior EO, Hipólito O. Modelo teorico de fio quantico. [Resumos]. 1996 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Polaron effects on the impurity binding energy in quantum wires (1995)
Osorio, F A P; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSORIO, F A P e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Polaron effects on the impurity binding energy in quantum wires. Physical Review B, v. 52, n. 7 , p. 4662-5, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.4662. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Osorio, F. A. P., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1995). Polaron effects on the impurity binding energy in quantum wires. Physical Review B, 52( 7 ), 4662-5. doi:10.1103/physrevb.52.4662
NLM
Osorio FAP, Degani MH, Hipólito O. Polaron effects on the impurity binding energy in quantum wires [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52( 7 ): 4662-5.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.4662
Vancouver
Osorio FAP, Degani MH, Hipólito O. Polaron effects on the impurity binding energy in quantum wires [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52( 7 ): 4662-5.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.4662
Trabalho de evento-resumo
Electric field effects in the impurity correlation energy in inversion layers (1995)
Hipólito, Oscar; Brito Mota, F; Ferreira da Silva, A
Source: Scientific Program and Abstracts. Conference titles: Simposio Latino-Americano de Fisica do Estado Solido. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HIPÓLITO, Oscar e BRITO MOTA, F e FERREIRA DA SILVA, A. Electric field effects in the impurity correlation energy in inversion layers. 1995, Anais.. Porto Alegre: Ufrgs, 1995. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Hipólito, O., Brito Mota, F., & Ferreira da Silva, A. (1995). Electric field effects in the impurity correlation energy in inversion layers. In Scientific Program and Abstracts. Porto Alegre: Ufrgs.
NLM
Hipólito O, Brito Mota F, Ferreira da Silva A. Electric field effects in the impurity correlation energy in inversion layers. Scientific Program and Abstracts. 1995 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Hipólito O, Brito Mota F, Ferreira da Silva A. Electric field effects in the impurity correlation energy in inversion layers. Scientific Program and Abstracts. 1995 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire (1995)
Campos, V B; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPOS, V B e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire. Superlattices and Microstructures, v. 17, n. 1 , p. 85-90, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1018. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Campos, V. B., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1995). Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire. Superlattices and Microstructures, 17( 1 ), 85-90. doi:10.1006/spmi.1995.1018
NLM
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1995 ;17( 1 ): 85-90.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1018
Vancouver
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1995 ;17( 1 ): 85-90.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1018
Trabalho de evento-resumo
Self-consistent calculation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state (1995)
Manzoli, J E; Leao, S; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J E e LEAO, S e HIPÓLITO, Oscar. Self-consistent calculation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state. 1995, Anais.. Rio de Janeiro: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Leao, S., & Hipólito, O. (1995). Self-consistent calculation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state. In Abstracts. Rio de Janeiro: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Manzoli JE, Leao S, Hipólito O. Self-consistent calculation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state. Abstracts. 1995 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Manzoli JE, Leao S, Hipólito O. Self-consistent calculation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state. Abstracts. 1995 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Magnetic field effects on impurity states in quantum dots (1995)
Osorio, F A P; Hipólito, Oscar; Peeters, F M
Source: Scientific Program and Abstracts. Conference titles: Simposio Latino-Americano de Fisica do Estado Solido. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSORIO, F A P e HIPÓLITO, Oscar e PEETERS, F M. Magnetic field effects on impurity states in quantum dots. 1995, Anais.. Porto Alegre: Ufrgs, 1995. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Osorio, F. A. P., Hipólito, O., & Peeters, F. M. (1995). Magnetic field effects on impurity states in quantum dots. In Scientific Program and Abstracts. Porto Alegre: Ufrgs.
NLM
Osorio FAP, Hipólito O, Peeters FM. Magnetic field effects on impurity states in quantum dots. Scientific Program and Abstracts. 1995 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Osorio FAP, Hipólito O, Peeters FM. Magnetic field effects on impurity states in quantum dots. Scientific Program and Abstracts. 1995 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors (1995)
Borges, A N; Hipólito, Oscar; Campos, V B
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORGES, A N e HIPÓLITO, Oscar e CAMPOS, V B. Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors. Physical Review B, v. 52, n. 3 , p. 1724-8, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.1724. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Borges, A. N., Hipólito, O., & Campos, V. B. (1995). Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors. Physical Review B, 52( 3 ), 1724-8. doi:10.1103/physrevb.52.1724
NLM
Borges AN, Hipólito O, Campos VB. Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52( 3 ): 1724-8.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.1724
Vancouver
Borges AN, Hipólito O, Campos VB. Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52( 3 ): 1724-8.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.1724
Artigo de periodico
Cyclotron resonance of interface polarons in semiconductor heterostructures (1994)
Osorio, F A P; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OSORIO, F A P e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Cyclotron resonance of interface polarons in semiconductor heterostructures. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 248-53, 1994Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Osorio, F. A. P., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1994). Cyclotron resonance of interface polarons in semiconductor heterostructures. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 248-53.
NLM
Osorio FAP, Degani MH, Hipólito O. Cyclotron resonance of interface polarons in semiconductor heterostructures. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 248-53.[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Osorio FAP, Degani MH, Hipólito O. Cyclotron resonance of interface polarons in semiconductor heterostructures. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 248-53.[citado 2024 nov. 04 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Document Types

USP Schools

Departament

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Conference titles

Countries/Territories

Grupo de pesquisa

Non normalized affiliation