Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets (1996)
- Authors:
- Autor USP: HIPOLITO, OSCAR - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Materials Research Society
- Publisher place: Boston
- Date published: 1996
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Materials Research Society Fall Meeting
-
ABNT
MANZOLI, J E e HIPÓLITO, Oscar. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. 1996, Anais.. Boston: Materials Research Society, 1996. . Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1996). Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. In Proceedings. Boston: Materials Research Society. -
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. Proceedings. 1996 ;[citado 2026 jan. 26 ] -
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. Proceedings. 1996 ;[citado 2026 jan. 26 ] - Efeito das correlacoes na energia de ligacao de impurezas hidrogenoides
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