Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors (1995)
- Authors:
- Autor USP: HIPOLITO, OSCAR - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1103/physrevb.52.1724
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.52, n.3 , p.1724-8, jul. 1995
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
BORGES, A N e HIPÓLITO, Oscar e CAMPOS, V B. Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors. Physical Review B, v. 52, n. 3 , p. 1724-8, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.1724. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Borges, A. N., Hipólito, O., & Campos, V. B. (1995). Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors. Physical Review B, 52( 3 ), 1724-8. doi:10.1103/physrevb.52.1724 -
NLM
Borges AN, Hipólito O, Campos VB. Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52( 3 ): 1724-8.[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.1724 -
Vancouver
Borges AN, Hipólito O, Campos VB. Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52( 3 ): 1724-8.[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.1724 - Efeito das correlacoes na energia de ligacao de impurezas hidrogenoides
- Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells
- Interacao de particulas carregadas com a superficie de um material semi-infinito
- Estudo de heteroestruturas de baixa dimensionalidade para simulacoes numericas: mini-bandas , stark leadder e oscilacoes de bloch em super-redes
- Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets
- Electric field effects in the impurity correlation energy in inversion layers
- Efeitos de correlacoes em estruturas semicondutoras altamente dopadas
- Impurity states in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' circular quantum dots
- Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
- Density of states of on-axis hydrogenic impurities in a 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum-well wire of circular cross section
Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.52.1724 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
