Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells (1998)
- Authors:
- Autor USP: HIPOLITO, OSCAR - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 57, n. 3, p. 1644-1648, 1998
-
ABNT
OSÓRIO, Francisco Aparecido Pinto e MAIALLE, Marcelo Zoega e HIPÓLITO, Oscar. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B, v. 57, n. 3, p. 1644-1648, 1998Tradução . . Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Osório, F. A. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1998). Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B, 57( 3), 1644-1648. -
NLM
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B. 1998 ; 57( 3): 1644-1648.[citado 2026 jan. 26 ] -
Vancouver
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B. 1998 ; 57( 3): 1644-1648.[citado 2026 jan. 26 ] - Efeito das correlacoes na energia de ligacao de impurezas hidrogenoides
- Interacao de particulas carregadas com a superficie de um material semi-infinito
- Estudo de heteroestruturas de baixa dimensionalidade para simulacoes numericas: mini-bandas , stark leadder e oscilacoes de bloch em super-redes
- Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets
- Electric field effects in the impurity correlation energy in inversion layers
- Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors
- Efeitos de correlacoes em estruturas semicondutoras altamente dopadas
- Impurity states in 'GA''AS'-'GA''AL''AS' circular quantum dots
- Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
- Density of states of on-axis hydrogenic impurities in a 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum-well wire of circular cross section
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
