On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s (1998)
- Authors:
- USP affiliated authors: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC ; HIPOLITO, OSCAR - IFSC
- Unidades: EESC; IFSC
- DOI: 10.1109/3.736099
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: IEEE Journal of Quantum Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 34, n. 12, p. 2314-2320, 1998
- Status:
- Nenhuma versão em acesso aberto identificada
-
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araujo e HIPÓLITO, Oscar. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 34, n. 12, p. 2314-2320, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/3.736099. Acesso em: 21 mar. 2026. -
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, 34( 12), 2314-2320. doi:10.1109/3.736099 -
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2026 mar. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099 -
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2026 mar. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099 - Características e estrutura eletrônica de HEMT pseudomórfica (presença de strain e canal 'delta' dopado)
- Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs
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