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Artigo de periodico
Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes (2023)
Almalki, Abdulaziz; Madani, Labed; Sengouga, Nouredine; Alhassan, Sultan; Alotaibi, Saud; Alhassni, Amra; Almunyif, Amjad; Chauhan, Jasbinder S.; Henini, Mohamed; Galeti, Helder Vinícius Avanço ; Gobato, Yara Galvão ; Godoy, Marcio Peron Franco de; Andrade, Marcelo Barbosa de ; Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Zhou, Hong; Wang, Boyan; Xiao, Ming; Qin, Yuan; Zhang, Yuhao
Fonte: Materials Today Electronics. Unidade: IFSC
Assuntos: GÁLIO, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
ALMALKI, Abdulaziz et al. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes. Materials Today Electronics, v. 4, p. 100042-1-100042-12 + supplementary materials, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Almalki, A., Madani, L., Sengouga, N., Alhassan, S., Alotaibi, S., Alhassni, A., et al. (2023). Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes. Materials Today Electronics, 4, 100042-1-100042-12 + supplementary materials. doi:10.1016/j.mtelec.2023.100042
NLM
Almalki A, Madani L, Sengouga N, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Chauhan JS, Henini M, Galeti HVA, Gobato YG, Godoy MPF de, Andrade MB de, Souto SPA, Zhou H, Wang B, Xiao M, Qin Y, Zhang Y. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes [Internet]. Materials Today Electronics. 2023 ; 4 100042-1-100042-12 + supplementary materials.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042
Vancouver
Almalki A, Madani L, Sengouga N, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Chauhan JS, Henini M, Galeti HVA, Gobato YG, Godoy MPF de, Andrade MB de, Souto SPA, Zhou H, Wang B, Xiao M, Qin Y, Zhang Y. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes [Internet]. Materials Today Electronics. 2023 ; 4 100042-1-100042-12 + supplementary materials.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042
Trabalho de evento-resumo
Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates (2021)
Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Souza, Daniele de; Alhassan, Sultan; Alotaibi, Saud; Alhassni, Amra; Almunyif, Amjad; Almalki, A.; Alhuwayz, M.; Kazakov, Igor; Klekovkin, Alexey V.; Zinov'ev, Sergey A.; Likhachev, Igor A.; Pashaev, Elkhan. M.; Gobato, Yara Galvao ; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Henini, Mohamed
Fonte: Anais. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: FZEA
Assuntos: ESPECTROSCOPIA RAMAN, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral et al. Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0630-1.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A., Souza, D. de, Alhassan, S., Alotaibi, S., Alhassni, A., Almunyif, A., et al. (2021). Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates. In Anais. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0630-1.pdf
NLM
Souto SPA, Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Almalki A, Alhuwayz M, Kazakov I, Klekovkin AV, Zinov'ev SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Anais. 2021 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0630-1.pdf
Vancouver
Souto SPA, Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Almalki A, Alhuwayz M, Kazakov I, Klekovkin AV, Zinov'ev SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Anais. 2021 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0630-1.pdf
Artigo de periodico
Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy (2021)
Alhassan, Sultan; Souza, Daniele de; Alhassni, Amra; Almunyif, Amjad; Alotaibi, Saud; Almalki, Abdulaziz; Alhuwayz, Maryam; Kazakov, Igor P.; Klekovkin, Alexey V.; Tsekhosh, Vladimir I.; Likhachev, Igor A.; Pashaev, Elkhan M.; Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Gobato, Yara Galvao ; Al Saqri, N.; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Al Mashary, Faisal; Albalawi, Hindi; Alwadai, Norah; Henini, Mohamed
Fonte: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
ALHASSAN, Sultan et al. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. Journal of Alloys and Compounds, v. 885, p. 1-11, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161019. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Alhassan, S., Souza, D. de, Alhassni, A., Almunyif, A., Alotaibi, S., Almalki, A., et al. (2021). Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. Journal of Alloys and Compounds, 885, 1-11. doi:10.1016/j.jallcom.2021.161019
NLM
Alhassan S, Souza D de, Alhassni A, Almunyif A, Alotaibi S, Almalki A, Alhuwayz M, Kazakov IP, Klekovkin AV, Tsekhosh VI, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Al Saqri N, Galeti HVA, Al Mashary F, Albalawi H, Alwadai N, Henini M. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2021 ; 885 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161019
Vancouver
Alhassan S, Souza D de, Alhassni A, Almunyif A, Alotaibi S, Almalki A, Alhuwayz M, Kazakov IP, Klekovkin AV, Tsekhosh VI, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Al Saqri N, Galeti HVA, Al Mashary F, Albalawi H, Alwadai N, Henini M. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2021 ; 885 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161019
Artigo de periodico
Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates (2021)
Souza, Daniele de; Alhassan, Sultan; Alotaibi, Saud; Alhassni, Amra; Almunyif, Amjad; Albalawi, Hindi; Kazakov, Igor P.; Klekovkin, Alexey V.; ZinovEv, Sergey A; Likhachev, Igor A.; Pashaev, Elkhan M.; Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Gobato, Yara Galvao ; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Henini, Mohamed
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SOUZA, Daniele de et al. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 36, n. 7, p. 1-12, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souza, D. de, Alhassan, S., Alotaibi, S., Alhassni, A., Almunyif, A., Albalawi, H., et al. (2021). Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, 36( 7), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/abf3d1
NLM
Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Albalawi H, Kazakov IP, Klekovkin AV, ZinovEv SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2021 ; 36( 7): 1-12.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1
Vancouver
Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Albalawi H, Kazakov IP, Klekovkin AV, ZinovEv SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2021 ; 36( 7): 1-12.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1
Trabalho de evento-resumo
Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados (2020)
Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Leite, Wellington Wesley da Silva
Fonte: Anais CoBICET : um mundo em constante transformação. Nome do evento: Congresso Brasileiro Interdisciplinar em Ciência e Tecnologia. Unidade: FZEA
Assuntos: IMPEDÂNCIA ELÉTRICA, CONSERVAÇÃO DE ALIMENTOS PELO FRIO, MEMBRANA CELULAR VEGETAL
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ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral e LEITE, Wellington Wesley da Silva. Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados. 2020, Anais.. Diamantina, MG: Even3, 2020. Disponível em: https://even3.blob.core.windows.net/anais/265675.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A., & Leite, W. W. da S. (2020). Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados. In Anais CoBICET : um mundo em constante transformação. Diamantina, MG: Even3. Recuperado de https://even3.blob.core.windows.net/anais/265675.pdf
NLM
Souto SPA, Leite WW da S. Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados [Internet]. Anais CoBICET : um mundo em constante transformação. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://even3.blob.core.windows.net/anais/265675.pdf
Vancouver
Souto SPA, Leite WW da S. Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados [Internet]. Anais CoBICET : um mundo em constante transformação. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://even3.blob.core.windows.net/anais/265675.pdf
Trabalho de evento-resumo
Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys (2020)
Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Hilska, Joonas; Gobato, Yara Galvao ; Souza, D.; Andrade, Marcelo Barbosa de ; Koivusalo, Eero; Puustinen, Janne; Guina, Mircea
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: FZEA, IFSC
Assunto: ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral et al. Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica - SBF, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-1.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A., Hilska, J., Gobato, Y. G., Souza, D., Andrade, M. B. de, Koivusalo, E., et al. (2020). Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-1.pdf
NLM
Souto SPA, Hilska J, Gobato YG, Souza D, Andrade MB de, Koivusalo E, Puustinen J, Guina M. Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-1.pdf
Vancouver
Souto SPA, Hilska J, Gobato YG, Souza D, Andrade MB de, Koivusalo E, Puustinen J, Guina M. Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-1.pdf
Material didatico
Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências (2020)
; Ferreira, Laura Barbosa; Gonçalves, Matheus Napolitano; Ribeiro, Marcelo Machado de Luca de Oliveira ; Souto, Sérgio Paulo Amaral
Unidade: FZEA
Assuntos: MATEMÁTICA, BIOCIÊNCIAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
, et al. Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências. . Pirassununga: FZEA/USP. . Acesso em: 09 ago. 2024. , 2020
APA
,, Ferreira, L. B., Gonçalves, M. N., Ribeiro, M. M. de L. de O., & Souto, S. P. A. (2020). Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências. Pirassununga: FZEA/USP.
NLM
, Ferreira LB, Gonçalves MN, Ribeiro MM de L de O, Souto SPA. Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ]
Vancouver
, Ferreira LB, Gonçalves MN, Ribeiro MM de L de O, Souto SPA. Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ]
Artigo de periodico
Magnetic fields in food processing perspectives, applications and action models (2020)
Miñano, Hubert Luzdemio Arteaga ; Silva, Ana Carolina de Sousa ; Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Costa, Ernane José Xavier
Fonte: Processes. Unidade: FZEA
Assuntos: CAMPO ELETROMAGNÉTICO, ENZIMAS, CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIÑANO, Hubert Luzdemio Arteaga et al. Magnetic fields in food processing perspectives, applications and action models. Processes, v. 8, n. 7, p. 1-11, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/pr8070814. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Miñano, H. L. A., Silva, A. C. de S., Souto, S. P. A., & Costa, E. J. X. (2020). Magnetic fields in food processing perspectives, applications and action models. Processes, 8( 7), 1-11. doi:10.3390/pr8070814
NLM
Miñano HLA, Silva AC de S, Souto SPA, Costa EJX. Magnetic fields in food processing perspectives, applications and action models [Internet]. Processes. 2020 ; 8( 7): 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.3390/pr8070814
Vancouver
Miñano HLA, Silva AC de S, Souto SPA, Costa EJX. Magnetic fields in food processing perspectives, applications and action models [Internet]. Processes. 2020 ; 8( 7): 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.3390/pr8070814
Artigo de periodico
Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content (2020)
Souto, Sérgio Paulo Amaral; Gobato, Y. Galvão; Souza, D.; Andrade, Marcelo Barbosa de ; Koivusalo, E.; Puustinen, J.; Guina, M.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: FZEA, IFSC
Assuntos: ESPECTROSCOPIA RAMAN, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral et al. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content. Applied Physics Letters, v. 116, n. 20, p. 202103-1-202103-5, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0008100. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A., Gobato, Y. G., Souza, D., Andrade, M. B. de, Koivusalo, E., Puustinen, J., & Guina, M. (2020). Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content. Applied Physics Letters, 116( 20), 202103-1-202103-5. doi:10.1063/5.0008100
NLM
Souto SPA, Gobato YG, Souza D, Andrade MB de, Koivusalo E, Puustinen J, Guina M. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 20): 202103-1-202103-5.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0008100
Vancouver
Souto SPA, Gobato YG, Souza D, Andrade MB de, Koivusalo E, Puustinen J, Guina M. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 20): 202103-1-202103-5.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0008100
Trabalho de evento-resumo
Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing (2019)
Miñano, Hubert Luzdemio Arteaga; Arce, Aldo Ivan Céspedes; Leite, Wellington Wesley da Silva; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Costa, Ernane José Xavier
Fonte: e-Book of Abstracts : “Challenging Food Engineering as a Driver Towards Sustainable Food Processing”. Nome do evento: Iberoamerican Congress of Food Engineering - CIBIA. Unidade: FZEA
Assuntos: ESPECTROSCOPIA, VISÃO COMPUTACIONAL, FRUTAS DE CLIMA TEMPERADO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIÑANO, Hubert Luzdemio Arteaga et al. Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing. 2019, Anais.. Faro: University of Algarve, 2019. . Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Miñano, H. L. A., Arce, A. I. C., Leite, W. W. da S., Souto, S. P. A., & Costa, E. J. X. (2019). Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing. In e-Book of Abstracts : “Challenging Food Engineering as a Driver Towards Sustainable Food Processing”. Faro: University of Algarve.
NLM
Miñano HLA, Arce AIC, Leite WW da S, Souto SPA, Costa EJX. Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing. e-Book of Abstracts : “Challenging Food Engineering as a Driver Towards Sustainable Food Processing”. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ]
Vancouver
Miñano HLA, Arce AIC, Leite WW da S, Souto SPA, Costa EJX. Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing. e-Book of Abstracts : “Challenging Food Engineering as a Driver Towards Sustainable Food Processing”. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST (2019)
Souto, Sérgio Paulo Amaral
Fonte: Anais. Nome do evento: Simpósio de Graduação da FZEA. Unidade: FZEA
Assuntos: VESTIBULAR, CONHECIMENTO, ENSINO E APRENDIZAGEM
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral. Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST. 2019, Anais.. Pirassununga: FZEA/USP, 2019. Disponível em: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A. (2019). Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST. In Anais. Pirassununga: FZEA/USP. Recuperado de http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
NLM
Souto SPA. Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST [Internet]. Anais. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
Vancouver
Souto SPA. Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST [Internet]. Anais. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
Trabalho de evento-resumo
Análise do índice de reprovação (2019)
Souto, Sérgio Paulo Amaral
Fonte: Anais. Nome do evento: Simpósio de Graduação da FZEA. Unidade: FZEA
Assuntos: FRACASSO ESCOLAR, CURRÍCULO DE ENSINO SUPERIOR, FÍSICA, MATEMÁTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral. Análise do índice de reprovação. 2019, Anais.. Pirassununga: FZEA/USP, 2019. Disponível em: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A. (2019). Análise do índice de reprovação. In Anais. Pirassununga: FZEA/USP. Recuperado de http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
NLM
Souto SPA. Análise do índice de reprovação [Internet]. Anais. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
Vancouver
Souto SPA. Análise do índice de reprovação [Internet]. Anais. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
Artigo de periodico
Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires (2019)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Hakkarainen, Teemu; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Talmila, Soile; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Lupo, Donald; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Nanotechnology. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, p. 1-11, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Hakkarainen, T., Galeti, H. V. A., Rodrigues, A. de G., Talmila, S., et al. (2019). Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, 30( 33), 1-11. doi:10.1088/1361-6528/ab1a97
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Galeti HVA, Rodrigues A de G, Talmila S, Souto SPA, Lupo D, Gobato YG, Guina M. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2019 ; 30( 33): 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Galeti HVA, Rodrigues A de G, Talmila S, Souto SPA, Lupo D, Gobato YG, Guina M. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2019 ; 30( 33): 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97
Artigo de periodico
Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder (2019)
Carvalho, M. H; Piton, Marcelo Rizzo; Lemine, O. M; Bououdina, M; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Pereira, E. C.; Gobato, Yara Galvao; Oliveira, A J A
Fonte: Materials Research Express. Unidade: FZEA
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARVALHO, M. H et al. Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder. Materials Research Express, v. 6, n. 2, p. 1-13, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaec62. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Carvalho, M. H., Piton, M. R., Lemine, O. M., Bououdina, M., Galeti, H. V. A., Souto, S. P. A., et al. (2019). Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder. Materials Research Express, 6( 2), 1-13. doi:10.1088/2053-1591/aaec62
NLM
Carvalho MH, Piton MR, Lemine OM, Bououdina M, Galeti HVA, Souto SPA, Pereira EC, Gobato YG, Oliveira AJA. Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder [Internet]. Materials Research Express. 2019 ; 6( 2): 1-13.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaec62
Vancouver
Carvalho MH, Piton MR, Lemine OM, Bououdina M, Galeti HVA, Souto SPA, Pereira EC, Gobato YG, Oliveira AJA. Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder [Internet]. Materials Research Express. 2019 ; 6( 2): 1-13.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaec62
Artigo de periodico
Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates (2018)
Prando, G. A.; Gordo, Vanessa Orsi; Puustinen, J.; Hilska, J.; Alghamdi, H. M.; Som, G; Gunes, M; Akyol, M; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Henini, M; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: FZEA
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRANDO, G. A. et al. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8, p. 1-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Prando, G. A., Gordo, V. O., Puustinen, J., Hilska, J., Alghamdi, H. M., Som, G., et al. (2018). Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, 33( 8), 1-7. doi:10.1088/1361-6641/aad02e
NLM
Prando GA, Gordo VO, Puustinen J, Hilska J, Alghamdi HM, Som G, Gunes M, Akyol M, Souto SPA, Rodrigues A de G, Galeti HVA, Henini M, Gobato YG, Guina M. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 8): 1-7.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e
Vancouver
Prando GA, Gordo VO, Puustinen J, Hilska J, Alghamdi HM, Som G, Gunes M, Akyol M, Souto SPA, Rodrigues A de G, Galeti HVA, Henini M, Gobato YG, Guina M. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 8): 1-7.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e
Trabalho de evento-resumo
Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties (2018)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Lupo, Donald; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Pizani, Paulo Sérgio; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: FZEA
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. 2018, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018. Disponível em: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., Lupo, D., et al. (2018). Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Pizani PS, Gobato YG, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Pizani PS, Gobato YG, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
Trabalho de evento-resumo
Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy (2018)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Hakkarainen, Teemu; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Lupo, Donald; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Abstracts NSP. Nome do evento: International Workshop and School - Nanostructures for Photonics. Unidade: FZEA
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, NANOPARTÍCULAS, FOTÔNICA
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy. 2018, Anais.. Saint Petersburg: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2018. Disponível em: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Hakkarainen, T., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., et al. (2018). Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy. In Abstracts NSP. Saint Petersburg: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Gobato YG, Guina M. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Abstracts NSP. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Gobato YG, Guina M. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Abstracts NSP. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf
Trabalho de evento-resumo
Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties (2018)
Gobato, Yara Galvao; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Hakkarainen, Teemu; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Pizani, Paulo Sérgio; Lupo, Donald; Guina, Mircea
Fonte: Proceedings ICPS. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: FZEA
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOBATO, Yara Galvao et al. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. 2018, Anais.. Montpellier: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.icps2018.org/en/program/abstract. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Gobato, Y. G., Galeti, H. V. A., Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Hakkarainen, T., et al. (2018). Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. In Proceedings ICPS. Montpellier: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.icps2018.org/en/program/abstract
NLM
Gobato YG, Galeti HVA, Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Rodrigues A de G, Pizani PS, Lupo D, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings ICPS. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.icps2018.org/en/program/abstract
Vancouver
Gobato YG, Galeti HVA, Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Rodrigues A de G, Pizani PS, Lupo D, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings ICPS. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.icps2018.org/en/program/abstract
Trabalho de evento-resumo
Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires (2017)
Piton, Marcelo Rizzo; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Rodrigues, Ariano D; Gobato, Yara Galvao; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Koivusalo, Eero; Hakkarainen, Teemu; Suomalainen, Soile; Guina, Mircea
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, MICROSCOPIA ELETRÔNICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires. 2017, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2017. Disponível em: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xl/sys/resumos/R0439-1.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Galeti, H. V. A., Rodrigues, A. D., Gobato, Y. G., Souto, S. P. A., Koivusalo, E., et al. (2017). Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xl/sys/resumos/R0439-1.pdf
NLM
Piton MR, Galeti HVA, Rodrigues AD, Gobato YG, Souto SPA, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Guina M. Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires [Internet]. Resumos. 2017 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xl/sys/resumos/R0439-1.pdf
Vancouver
Piton MR, Galeti HVA, Rodrigues AD, Gobato YG, Souto SPA, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Guina M. Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires [Internet]. Resumos. 2017 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xl/sys/resumos/R0439-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si (2017)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Hakkarainen, Teemu; Suomalainen, Soile; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Rodrigues, Ariano D.; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Abstracts BWSP. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: FZEA
Assuntos: NANOPARTÍCULAS, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MICROSCOPIA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si. 2017, Anais.. Maresias: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2017. Disponível em: http://bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18BWSP_11-Aug-2017.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Hakkarainen, T., Suomalainen, S., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., et al. (2017). Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si. In Abstracts BWSP. Maresias: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18BWSP_11-Aug-2017.pdf
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Rodrigues AD, Gobato YG, Guina M. Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si [Internet]. Abstracts BWSP. 2017 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18BWSP_11-Aug-2017.pdf
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Rodrigues AD, Gobato YG, Guina M. Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si [Internet]. Abstracts BWSP. 2017 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18BWSP_11-Aug-2017.pdf

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