Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates (2018)
- Authors:
- Autor USP: SOUTO, SERGIO PAULO AMARAL - FZEA
- Unidade: FZEA
- DOI: 10.1088/1361-6641/aad02e
- Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA; EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR; SEMICONDUTORES
- Keywords: Exciton localization; Structural disorder; Photoluminescence; Dilute bismide
- Agências de fomento:
- Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
Processo FAPESP: 16/10668-7 - Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
- Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
- Financiado pelo Scientific and Technological Research Council of Turkey (TUBITAK)
- Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Semiconductor Science and Technology
- ISSN: 0268-1242
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 33, n. 8, p. 1-7, 2018
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
-
ABNT
PRANDO, G. A. et al. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8, p. 1-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e. Acesso em: 27 dez. 2025. -
APA
Prando, G. A., Gordo, V. O., Puustinen, J., Hilska, J., Alghamdi, H. M., Som, G., et al. (2018). Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, 33( 8), 1-7. doi:10.1088/1361-6641/aad02e -
NLM
Prando GA, Gordo VO, Puustinen J, Hilska J, Alghamdi HM, Som G, Gunes M, Akyol M, Souto SPA, Rodrigues A de G, Galeti HVA, Henini M, Gobato YG, Guina M. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 8): 1-7.[citado 2025 dez. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e -
Vancouver
Prando GA, Gordo VO, Puustinen J, Hilska J, Alghamdi HM, Som G, Gunes M, Akyol M, Souto SPA, Rodrigues A de G, Galeti HVA, Henini M, Gobato YG, Guina M. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 8): 1-7.[citado 2025 dez. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e - Modificações na estrutura eletrônica dos filmes 'C IND. x''N IND. 1-x': H estudados por fotoemissão de elétrons
- Estrutura dos vidros condutores mistos
- Propriedades dos vidros lítio tetraboratos com diferentes condições de preparação
- Electronic structure of nitrogen-carbon alloys (a-CNx) determined by photoelectron spectroscopy
- The role of hydrogen in nitrogen - containing diamondlike films studied by photoelectron spectroscopy
- Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties
- Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates
- Structural, optical and magnetic properties of mechanically-milled In2O3 nanocrystalline powder
- Comparative study of single crystals and laser-grown films of 'V IND. 2''O IND. 5'
- Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si
Informações sobre o DOI: 10.1088/1361-6641/aad02e (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
