Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates (2021)
- Authors:
- Souza, Daniele de - Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
- Alhassan, Sultan
- Alotaibi, Saud
- Alhassni, Amra
- Almunyif, Amjad
- Albalawi, Hindi
- Kazakov, Igor P.
- Klekovkin, Alexey V.
- ZinovEv, Sergey A
- Likhachev, Igor A.
- Pashaev, Elkhan M.
- Souto, Sérgio Paulo Amaral

- Gobato, Yara Galvao - Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)

- Galeti, Helder Vinícius Avanço - Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
- Henini, Mohamed
- Autor USP: SOUTO, SERGIO PAULO AMARAL - FZEA
- Unidade: FZEA
- DOI: 10.1088/1361-6641/abf3d1
- Subjects: SEMICONDUTORES; EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
- Keywords: Exciton localization; Optical properties; Doped semiconductor; Structural disorder; Dilute bismides
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Semiconductor Science and Technology
- ISSN: 1361-6641
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 36, n. 7, art. 075018, p. 1-12, 2021
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
SOUZA, Daniele de et al. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 36, n. 7, p. 1-12, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1. Acesso em: 01 abr. 2026. -
APA
Souza, D. de, Alhassan, S., Alotaibi, S., Alhassni, A., Almunyif, A., Albalawi, H., et al. (2021). Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, 36( 7), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/abf3d1 -
NLM
Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Albalawi H, Kazakov IP, Klekovkin AV, ZinovEv SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2021 ; 36( 7): 1-12.[citado 2026 abr. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1 -
Vancouver
Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Albalawi H, Kazakov IP, Klekovkin AV, ZinovEv SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2021 ; 36( 7): 1-12.[citado 2026 abr. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1 - Análise do índice de reprovação
- Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST
- Effect of Te and Be doping of GaAs nanowires
- Optical properties of Te and Be doped self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si
- Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires
- Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy
- Induced ferromagnetism in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder
- Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties
- Density and ultrasonic velocities in fast ionic conducting borate glasses
- Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
Por se tratar de integração com serviço externo, podem existir diferentes versões do trabalho (como preprints ou postprints), que podem diferir da versão publicada.
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
