Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires (2019)
- Authors:
- Autor USP: SOUTO, SERGIO PAULO AMARAL - FZEA
- Unidade: FZEA
- DOI: 10.1088/1361-6528/ab1a97
- Subjects: SEMICONDUTORES; ÓPTICA ELETRÔNICA
- Keywords: Nanowires; GaAs; Be doping; Concentration profiles
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Nanotechnology
- ISSN: 0957-4484
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 30, n. 33, p. 1-11, 2019
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, p. 1-11, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97. Acesso em: 10 jan. 2026. -
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Hakkarainen, T., Galeti, H. V. A., Rodrigues, A. de G., Talmila, S., et al. (2019). Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, 30( 33), 1-11. doi:10.1088/1361-6528/ab1a97 -
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Galeti HVA, Rodrigues A de G, Talmila S, Souto SPA, Lupo D, Gobato YG, Guina M. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2019 ; 30( 33): 1-11.[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97 -
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Galeti HVA, Rodrigues A de G, Talmila S, Souto SPA, Lupo D, Gobato YG, Guina M. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2019 ; 30( 33): 1-11.[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97 - Propriedades dos vidros lítio tetraboratos com diferentes condições de preparação
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Informações sobre o DOI: 10.1088/1361-6528/ab1a97 (Fonte: oaDOI API)
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