Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes (2023)
- Authors:
- Almalki, Abdulaziz
- Madani, Labed
- Sengouga, Nouredine
- Alhassan, Sultan
- Alotaibi, Saud
- Alhassni, Amra
- Almunyif, Amjad
- Chauhan, Jasbinder S.
- Henini, Mohamed
- Galeti, Helder Vinícius Avanço
- Gobato, Yara Galvão
- Godoy, Marcio Peron Franco de
- Andrade, Marcelo Barbosa de
- Souto, Sérgio Paulo Amaral
- Zhou, Hong
- Wang, Boyan
- Xiao, Ming
- Qin, Yuan
- Zhang, Yuhao
- Autor USP: ANDRADE, MARCELO BARBOSA DE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.mtelec.2023.100042
- Subjects: GÁLIO; FOTOLUMINESCÊNCIA; ESPECTROSCOPIA RAMAN
- Keywords: NiO/β-Ga2O3 heterojunction diodes; Defects; Deep level transient spectroscopy; Photoluminescence; Raman; Electrical characteristics; Modeling
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Materials Today Electronics
- ISSN: 2772-9494
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 4, p. 100042-1-100042-12 + supplementary materials, June 2023
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by
-
ABNT
ALMALKI, Abdulaziz et al. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes. Materials Today Electronics, v. 4, p. 100042-1-100042-12 + supplementary materials, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042. Acesso em: 28 dez. 2025. -
APA
Almalki, A., Madani, L., Sengouga, N., Alhassan, S., Alotaibi, S., Alhassni, A., et al. (2023). Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes. Materials Today Electronics, 4, 100042-1-100042-12 + supplementary materials. doi:10.1016/j.mtelec.2023.100042 -
NLM
Almalki A, Madani L, Sengouga N, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Chauhan JS, Henini M, Galeti HVA, Gobato YG, Godoy MPF de, Andrade MB de, Souto SPA, Zhou H, Wang B, Xiao M, Qin Y, Zhang Y. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes [Internet]. Materials Today Electronics. 2023 ; 4 100042-1-100042-12 + supplementary materials.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042 -
Vancouver
Almalki A, Madani L, Sengouga N, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Chauhan JS, Henini M, Galeti HVA, Gobato YG, Godoy MPF de, Andrade MB de, Souto SPA, Zhou H, Wang B, Xiao M, Qin Y, Zhang Y. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes [Internet]. Materials Today Electronics. 2023 ; 4 100042-1-100042-12 + supplementary materials.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042 - Estudo cristaloquímico de minerais do grupo do pirocloro no Brasil
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mtelec.2023.100042 (Fonte: oaDOI API)
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