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Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations (2007)
Lino, A T; Borges, P D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silva Junior, E F da
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LINO, A T et al. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 01 nov. 2025. , 2007
APA
Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations (2006)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lino, Antonio Tadeu; Freire, V N; Farias, G A; Silva, C C; Alves, H W Leite; Rodrigues, S C P; Silva, E F da
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 1, p. 104103-1/104103-9, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2386967. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., Silva, C. C., et al. (2006). Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 100( 1), 104103-1/104103-9. doi:10.1063/1.2386967
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Trabalho de evento
Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn (2006)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E F; Sipahi, Guilherme Matos ; Marin, I. S. P.; Lima, I. C. da Cunha
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-3.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Silva Junior, E. F., Sipahi, G. M., Marin, I. S. P., & Lima, I. C. da C. (2006). Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-3.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Silva Junior EF, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-3.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Silva Junior EF, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-3.pdf
Trabalho de evento
Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV (2006)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E F; Sipahi, Guilherme Matos ; Marin, I. S. P.; Lima, I. C. da Cunha
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Silva Junior, E. F., Sipahi, G. M., Marin, I. S. P., & Lima, I. C. da C. (2006). Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-1.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Silva Junior EF, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C. Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-1.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Silva Junior EF, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C. Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-1.pdf
Artigo de periodico
Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers (2004)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, I C C; Sipahi, Guilherme Matos ; Boselli, M A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lima, I. C. C., Sipahi, G. M., & Boselli, M. A. (2004). Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S C P; Noriega, O C; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells (2002)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P e SIPAHI, Guilherme Matos. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells. Journal of Crystal Growth, v. 246, n. 3-4, p. 347-354, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Sipahi, G. M. (2002). Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells. Journal of Crystal Growth, 246( 3-4), 347-354. doi:10.1016/s0022-0248(02)01760-8
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2002 ;246( 3-4): 347-354.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2002 ;246( 3-4): 347-354.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8
Trabalho de evento-resumo
Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem (2001)
Rodrigues, S C P; Zanetti, Maria Lúcia
Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (SIIC-USP). Unidade: EERP
Subjects: PROFISSIONAIS DE ENFERMAGEM, ENFERMAGEM CIRÚRGICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P e ZANETTI, Maria Lúcia. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001, Anais.. São Paulo: USP, 2001. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Zanetti, M. L. (2001). Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. In . São Paulo: USP.
NLM
Rodrigues SCP, Zanetti ML. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Zanetti ML. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Trabalho de evento-resumo
Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells (2001)
Leite, J. R.; Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silveira, E; MENESES, Eliermes Arraes; Ribeiro, E; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Leite, J. R., Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., Silveira, E., et al. (2001). Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 13, n. 14, p. 3381-3387, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ3-Links/35/zzLGssKIC,HW1qAP6barow/c11411.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices. Journal of Physics-Condensed Matter, 13( 14), 3381-3387. Recuperado de http://www.iop.org/EJ3-Links/35/zzLGssKIC,HW1qAP6barow/c11411.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2001 ; 13( 14): 3381-3387.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/35/zzLGssKIC,HW1qAP6barow/c11411.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2001 ; 13( 14): 3381-3387.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/35/zzLGssKIC,HW1qAP6barow/c11411.pdf
Trabalho de evento
Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping (2000)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2000). Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. Proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. Proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, P
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IF, IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Artigo de periodico
Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices (2000)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, v. 76, n. 8, p. 1015-1017, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125924. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2000). Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, 76( 8), 1015-1017. doi:10.1063/1.125924
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN' (1998)
Rodrigues, S C P; Rosa, A L; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Beliaev, Dmitri; Leite, J. R.; Enderlein, R; Alves, J L A
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'. Semiconductor Science and Technology, v. 13, p. 981-988, 1998Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Leite, J. R., Enderlein, R., & Alves, J. L. A. (1998). Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'. Semiconductor Science and Technology, 13, 981-988.
NLM
Rodrigues SCP, Rosa AL, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR, Enderlein R, Alves JLA. Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13 981-988.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Rosa AL, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR, Enderlein R, Alves JLA. Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13 981-988.[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A ; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Anais. Conference titles: Internatuonal Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A ; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 01 ]

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