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Curadoria
International school-workshop on Quantum Rings: a playground for Quantum Mechanical Paradigm and Topological Physics (2026)
Trallero-Giner, Carlos Luis (cur) ; Marega Junior, Euclydes (cur) ; Lopez-Richard, Victor (cur) ; Fomin, Vladimir M. (cur)
Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
International school-workshop on Quantum Rings: a playground for Quantum Mechanical Paradigm and Topological Physics. . Natal: International Institute of Physics - IIP. Disponível em: https://www.iip.ufrn.br/en/events/international-school-workshop-on-quantum-rings. Acesso em: 25 abr. 2026. , 2026
APA
International school-workshop on Quantum Rings: a playground for Quantum Mechanical Paradigm and Topological Physics. (2026). International school-workshop on Quantum Rings: a playground for Quantum Mechanical Paradigm and Topological Physics. Natal: International Institute of Physics - IIP. Recuperado de https://www.iip.ufrn.br/en/events/international-school-workshop-on-quantum-rings
NLM
International school-workshop on Quantum Rings: a playground for Quantum Mechanical Paradigm and Topological Physics [Internet]. 2026 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://www.iip.ufrn.br/en/events/international-school-workshop-on-quantum-rings
Vancouver
International school-workshop on Quantum Rings: a playground for Quantum Mechanical Paradigm and Topological Physics [Internet]. 2026 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://www.iip.ufrn.br/en/events/international-school-workshop-on-quantum-rings
Artigo de periodico
Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation (2026)
Cantalice, T. F. ; Urahata, S. M. ; Quivy, A. A.
Source: Micro and Nanostructures. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
CANTALICE, T. F. e URAHATA, S. M. e QUIVY, A. A. Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation. Micro and Nanostructures, 2026Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208567. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Cantalice, T. F., Urahata, S. M., & Quivy, A. A. (2026). Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation. Micro and Nanostructures. doi:https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208567
NLM
Cantalice TF, Urahata SM, Quivy AA. Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation [Internet]. Micro and Nanostructures. 2026 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208567
Vancouver
Cantalice TF, Urahata SM, Quivy AA. Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation [Internet]. Micro and Nanostructures. 2026 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208567
Artigo de periodico
Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys (2026)
Xiuwen, Zhang ; Sabino, Fernando Pereira ; Jia-Xin, Xiong ; Zunger, Alex
Source: Physical Review Materials. Unidade: EESC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS
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ABNT
XIUWEN, Zhang et al. Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys. Physical Review Materials, v. 10, p. 1-15, 2026Tradução . . Disponível em: https://dx.doi.org/10.1103/tp35-8fff. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Xiuwen, Z., Sabino, F. P., Jia-Xin, X., & Zunger, A. (2026). Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys. Physical Review Materials, 10, 1-15. doi:10.1103/tp35-8fff
NLM
Xiuwen Z, Sabino FP, Jia-Xin X, Zunger A. Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys [Internet]. Physical Review Materials. 2026 ; 10 1-15.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1103/tp35-8fff
Vancouver
Xiuwen Z, Sabino FP, Jia-Xin X, Zunger A. Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys [Internet]. Physical Review Materials. 2026 ; 10 1-15.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1103/tp35-8fff
Artigo de jornal-dep/entr
A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes] (2026)
Zuffo, Marcelo Knörich
Source: Deu Tilt [UOL]. Unidade: RUSP
Subjects: INSUMO (BENS DE CAPITAL), SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, VULNERABILIDADE
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ABNT
ZUFFO, Marcelo Knörich. A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes]. Deu Tilt [UOL]. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fda233ee-7939-44a5-b116-f26a10b4bec9/Marcelo_Zuffo_no_Deu_Tilt.pdf. Acesso em: 25 abr. 2026. , 2026
APA
Zuffo, M. K. (2026). A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes]. Deu Tilt [UOL]. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fda233ee-7939-44a5-b116-f26a10b4bec9/Marcelo_Zuffo_no_Deu_Tilt.pdf
NLM
Zuffo MK. A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes] [Internet]. Deu Tilt [UOL]. 2026 ;10 fe 2026[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fda233ee-7939-44a5-b116-f26a10b4bec9/Marcelo_Zuffo_no_Deu_Tilt.pdf
Vancouver
Zuffo MK. A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes] [Internet]. Deu Tilt [UOL]. 2026 ;10 fe 2026[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fda233ee-7939-44a5-b116-f26a10b4bec9/Marcelo_Zuffo_no_Deu_Tilt.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22 (2026)
Quivy, Alain André (cur) ; Penello, Germano Maioli (cur) ; Sipahi, Guilherme Matos (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22. . Rio de Janeiro: Universidade Federal do Rio de Janeiro - UFRJ - Rio de Janeiro - RJ. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70ff30d1-2198-4883-9547-5971f7edd0e7/3297528.pdf. Acesso em: 25 abr. 2026. , 2026
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22. (2026). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22. Rio de Janeiro: Universidade Federal do Rio de Janeiro - UFRJ - Rio de Janeiro - RJ. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/70ff30d1-2198-4883-9547-5971f7edd0e7/3297528.pdf
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22 [Internet]. 2026 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70ff30d1-2198-4883-9547-5971f7edd0e7/3297528.pdf
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Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22 [Internet]. 2026 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70ff30d1-2198-4883-9547-5971f7edd0e7/3297528.pdf
Dissertação (Mestrado)
Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (2025)
Fidelis, Daniel Gonçalves ; Chubaci, José Fernando Diniz (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MODELAGEM MOLECULAR, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, MATERIAIS, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FIDELIS, Daniel Gonçalves. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3). 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Fidelis, D. G. (2025). Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/
NLM
Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/
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Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear (2025)
Pereira, Matheus Souza ; Added, Nemitala (coorient) ; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, DETETORES RADIOATIVOS, INSTRUMENTO ELETRÔNICO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, Matheus Souza. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Pereira, M. S. (2025). Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/
NLM
Pereira MS. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/
Vancouver
Pereira MS. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/
Tese (Livre Docência)
Condutores mistos orgânicos: desenvolvimento, teoria e aplicações (2025)
Faria, Gregório Couto
Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA, Gregório Couto. Condutores mistos orgânicos: desenvolvimento, teoria e aplicações. 2025. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. . Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Faria, G. C. (2025). Condutores mistos orgânicos: desenvolvimento, teoria e aplicações (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Carlos.
NLM
Faria GC. Condutores mistos orgânicos: desenvolvimento, teoria e aplicações. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ]
Vancouver
Faria GC. Condutores mistos orgânicos: desenvolvimento, teoria e aplicações. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ]
Tese (Doutorado)
Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses (2025)
Nolasco, Lucas Konaka ; Mendonça, Cleber Renato (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: ÓPTICA NÃO LINEAR, SEMICONDUTORES, DIAMANTE, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOLASCO, Lucas Konaka. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses. 2025. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Nolasco, L. K. (2025). Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/
NLM
Nolasco LK. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/
Vancouver
Nolasco LK. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/
Dissertação (Mestrado)
Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations (2025)
Oliveira, Willer Frank de Sousa; Marega Junior, Euclydes (Orientador)
Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Willer Frank de Sousa. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Oliveira, W. F. de S. (2025). Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/
NLM
Oliveira WF de S. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/
Vancouver
Oliveira WF de S. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/
Artigo de periodico
Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures (2025)
Lemes, Matheus Fernandes Sousa ; Pimenta, Ana Clara Sampaio ; Calderón, Gaston Lozano ; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Ames, Alessandra ; Teodoro, Marcio Daldin ; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo ; Wang, Zhenyu ; Kis, Andras ; Marega Junior, Euclydes
Source: ACS Nano. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEMES, Matheus Fernandes Sousa et al. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, v. 19, n. Ja 2025, p. 2518-2528 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Lemes, M. F. S., Pimenta, A. C. S., Calderón, G. L., Silva, M. de A. P. da, Ames, A., Teodoro, M. D., et al. (2025). Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, 19( Ja 2025), 2518-2528 + supporting information. doi:10.1021/acsnano.4c13867
NLM
Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867
Vancouver
Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867
Artigo de periodico
A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors (2025)
Unigarro, Andres David Peña ; Günther, Florian Steffen
Source: ACS Applied Nano Materials. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), NANOELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
UNIGARRO, Andres David Peña e GÜNTHER, Florian Steffen. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors. ACS Applied Nano Materials, v. 8, n. 23, p. 12329-12341 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Unigarro, A. D. P., & Günther, F. S. (2025). A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors. ACS Applied Nano Materials, 8( 23), 12329-12341 + supporting information. doi:10.1021/acsanm.5c02101
NLM
Unigarro ADP, Günther FS. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12329-12341 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101
Vancouver
Unigarro ADP, Günther FS. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12329-12341 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101
Artigo de periodico
Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors (2025)
Mello, Saron Rosy Sales de ; Cemin, Felipe ; Echeverrigaray, Fernando Graniero; Jimenez, Mawin Javier Martinez; Piroli, Vanessa; Costa, Fábio Juvêncio Ramalho; Boeira, Carla Daniela ; Leidens, Leonardo Mathias ; Riul Junior, Antonio ; Figueroa, Carlos Alejandro ; Zagonel, Luiz Fernando ; Zanatta, Antonio Ricardo ; Alvarez, Fernando
Source: ACS Applied Nano Materials. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MELLO, Saron Rosy Sales de et al. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors. ACS Applied Nano Materials, v. 8, n. 23, p. 12380-12392 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Mello, S. R. S. de, Cemin, F., Echeverrigaray, F. G., Jimenez, M. J. M., Piroli, V., Costa, F. J. R., et al. (2025). Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors. ACS Applied Nano Materials, 8( 23), 12380-12392 + supporting information. doi:10.1021/acsanm.5c02214
NLM
Mello SRS de, Cemin F, Echeverrigaray FG, Jimenez MJM, Piroli V, Costa FJR, Boeira CD, Leidens LM, Riul Junior A, Figueroa CA, Zagonel LF, Zanatta AR, Alvarez F. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12380-12392 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214
Vancouver
Mello SRS de, Cemin F, Echeverrigaray FG, Jimenez MJM, Piroli V, Costa FJR, Boeira CD, Leidens LM, Riul Junior A, Figueroa CA, Zagonel LF, Zanatta AR, Alvarez F. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12380-12392 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214
Artigo de periodico
Analytical model for ballistic 2D nanotransistors (2025)
Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo
Source: IEEE Open Journal of Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, p. 1-11, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, 1-11. doi:10.1109/OJNANO.2025.3598219
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219
Trabalho de evento-resumo
Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)
Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat
Source: Abstract Book. Conference titles: International Conference on Nanomaterials Science and Mechanical Engineering. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. 2025, Anais.. Aveiro: Universidade de Aveiro, 2025. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. In Abstract Book. Aveiro: Universidade de Aveiro. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf
NLM
Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf
Vancouver
Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf
Trabalho de evento-resumo
Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations (2025)
Moysés, Renato Mafra; Misoguti, Lino
Source: Presentation program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: GÁLIO, SEMICONDUTORES, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOYSÉS, Renato Mafra e MISOGUTI, Lino. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations. 2025, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2025. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Moysés, R. M., & Misoguti, L. (2025). Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations. In Presentation program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf
NLM
Moysés RM, Misoguti L. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf
Vancouver
Moysés RM, Misoguti L. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf
Artigo de periodico
Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications (2025)
Hien, Nguyen Cao; Thang, Nguyen Hoc ; Mahmood, Tahir; Pawlicka, Agnieszka ; Anwar, Mamoona; Munir, Muhammad; Ghafoor, Abdul; Khoa, Tran Le Anh
Source: RSC Advances. Unidade: IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ENERGIA, NANOPARTÍCULAS, NÍQUEL, COBALTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HIEN, Nguyen Cao et al. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications. RSC Advances, v. 15, p. 22730-22744, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Hien, N. C., Thang, N. H., Mahmood, T., Pawlicka, A., Anwar, M., Munir, M., et al. (2025). Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications. RSC Advances, 15, 22730-22744. doi:10.1039/D5RA02746B
NLM
Hien NC, Thang NH, Mahmood T, Pawlicka A, Anwar M, Munir M, Ghafoor A, Khoa TLA. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications [Internet]. RSC Advances. 2025 ; 15 22730-22744.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B
Vancouver
Hien NC, Thang NH, Mahmood T, Pawlicka A, Anwar M, Munir M, Ghafoor A, Khoa TLA. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications [Internet]. RSC Advances. 2025 ; 15 22730-22744.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B
Trabalho de evento-resumo
Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels (2025)
Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat
Source: Program. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. 2025, Anais.. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP, 2025. Disponível em: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. In Program. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP. Recuperado de https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070
NLM
Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070
Vancouver
Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070
Artigo de periodico
Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots (2025)
Brubach, J. ; Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Greenhill, C ; Walrath, J ; Fedele, G; Yang, Y.-C. ; Zimmerman, A. ; Goldman, R. S.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRUBACH, J. et al. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0244331. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Brubach, J., Huang, T. -Y., Borrely, T., Greenhill, C., Walrath, J., Fedele, G., et al. (2025). Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters. doi:10.1063/5.0244331
NLM
Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331
Vancouver
Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331
Artigo de periodico
Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)
Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Glazov, Mikhail ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat
Source: Physical Review Research. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, v. 7, n. 4, p. 043062-1-043062-8, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh. Acesso em: 25 abr. 2026.
APA
Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Glazov, M., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, 7( 4), 043062-1-043062-8. doi:10.1103/71yh-kprh
NLM
Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh
Vancouver
Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh

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