ReP USP - Resultado da busca

Tese (Doutorado)
Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos (1989)
Soler Pajanian, Maria Aparecida Godoy ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOLER PAJANIAN, Maria Aparecida Godoy. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Soler Pajanian, M. A. G. (1989). Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Soler Pajanian MAG. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Soler Pajanian MAG. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Tese (Doutorado)
Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial (1989)
Nubile, Paulo; Waldman, Bernard (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NUBILE, Paulo. Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Nubile, P. (1989). Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Nubile P. Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial. 1989 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Nubile P. Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial. 1989 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Tese (Doutorado)
Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Andrade, A. M. de. (1989). Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Andrade AM de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Andrade AM de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS (1988)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Swart, Jacobus Willibrordus (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Santos Filho, S. G. dos. (1988). Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Santos Filho SG dos. Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS. 1988 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos. Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS. 1988 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Algoritmos em silício: metodologia e ambiente de projeto (1988)
Barretto, Marcos Ribeiro Pereira ; Moscato, Lucas Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ALGORITMOS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARRETTO, Marcos Ribeiro Pereira. Algoritmos em silício: metodologia e ambiente de projeto. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Barretto, M. R. P. (1988). Algoritmos em silício: metodologia e ambiente de projeto (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Barretto MRP. Algoritmos em silício: metodologia e ambiente de projeto. 1988 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Barretto MRP. Algoritmos em silício: metodologia e ambiente de projeto. 1988 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Super-redes de silício amorfo (1988)
Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Super-redes de silício amorfo. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Páez Carreño, M. N. (1988). Super-redes de silício amorfo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Páez Carreño MN. Super-redes de silício amorfo. 1988 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Páez Carreño MN. Super-redes de silício amorfo. 1988 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Tese (Doutorado)
Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada (1987)
Torres, Luis Carlos Molina; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Luis Carlos Molina. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Torres, L. C. M. (1987). Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Projeto e implementacao de uma memoria de acesso direto estatica de 64 bits empregando uma tecnologia nmos simples com carga em deplecao e porta de silico policristalino (1985)
Furlan, Rogério ; Zuffo, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, MEMÓRIA (ELETRÔNICA DIGITAL)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FURLAN, Rogério. Projeto e implementacao de uma memoria de acesso direto estatica de 64 bits empregando uma tecnologia nmos simples com carga em deplecao e porta de silico policristalino. 1985. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Furlan, R. (1985). Projeto e implementacao de uma memoria de acesso direto estatica de 64 bits empregando uma tecnologia nmos simples com carga em deplecao e porta de silico policristalino (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Furlan R. Projeto e implementacao de uma memoria de acesso direto estatica de 64 bits empregando uma tecnologia nmos simples com carga em deplecao e porta de silico policristalino. 1985 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Furlan R. Projeto e implementacao de uma memoria de acesso direto estatica de 64 bits empregando uma tecnologia nmos simples com carga em deplecao e porta de silico policristalino. 1985 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino (1984)
Martino, João Antonio ; Zuffo, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio. Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino. 1984. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1984. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-102807/. Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Martino, J. A. (1984). Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-102807/
NLM
Martino JA. Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino [Internet]. 1984 ;[citado 2024 ago. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-102807/
Vancouver
Martino JA. Proposta de uma sequência simples de fabricação de circuitos integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino [Internet]. 1984 ;[citado 2024 ago. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-102807/
Dissertação (Mestrado)
Construção e caracterização de um fototransistor de silício (1982)
Amazonas, José Roberto de Almeida ; Waldman, Bernard (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMAZONAS, José Roberto de Almeida. Construção e caracterização de um fototransistor de silício. 1982. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1982. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Amazonas, J. R. de A. (1982). Construção e caracterização de um fototransistor de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Amazonas JR de A. Construção e caracterização de um fototransistor de silício. 1982 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Amazonas JR de A. Construção e caracterização de um fototransistor de silício. 1982 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Captura de impurezas metálicas em silício por camadas implantadas com argônio (1981)
Engel, Paulo Martins; Souza, Joel Pereira de (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, ARGÔNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENGEL, Paulo Martins. Captura de impurezas metálicas em silício por camadas implantadas com argônio. 1981. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1981. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Engel, P. M. (1981). Captura de impurezas metálicas em silício por camadas implantadas com argônio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Engel PM. Captura de impurezas metálicas em silício por camadas implantadas com argônio. 1981 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Engel PM. Captura de impurezas metálicas em silício por camadas implantadas com argônio. 1981 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Construção e caracterização de um fotodiodo de silício (1979)
Pereira, Jose Augusto de Alencar Mendes; Waldman, Bernard (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, Jose Augusto de Alencar Mendes. Construção e caracterização de um fotodiodo de silício. 1979. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1979. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Pereira, J. A. de A. M. (1979). Construção e caracterização de um fotodiodo de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Pereira JA de AM. Construção e caracterização de um fotodiodo de silício. 1979 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Pereira JA de AM. Construção e caracterização de um fotodiodo de silício. 1979 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Corrosão anisotrópica do silício e caracterização dessa corrosão pela mistura hidroxido de potássio-água-isopropanol (1978)
Fissore, Alfeu; Waldman, Bernard (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CORROSÃO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FISSORE, Alfeu. Corrosão anisotrópica do silício e caracterização dessa corrosão pela mistura hidroxido de potássio-água-isopropanol. 1978. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1978. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Fissore, A. (1978). Corrosão anisotrópica do silício e caracterização dessa corrosão pela mistura hidroxido de potássio-água-isopropanol (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Fissore A. Corrosão anisotrópica do silício e caracterização dessa corrosão pela mistura hidroxido de potássio-água-isopropanol. 1978 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Fissore A. Corrosão anisotrópica do silício e caracterização dessa corrosão pela mistura hidroxido de potássio-água-isopropanol. 1978 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão (1974)
Zasnicoff, Luiz Sergio; Zuffo, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio. Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão. 1974. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1974. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Zasnicoff, L. S. (1974). Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Zasnicoff LS. Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão. 1974 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Zasnicoff LS. Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão. 1974 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Oxidação térmica do silicio: um estudo do método de oxidação com vapor de água (1972)
Andrade, Adnei Melges de ; Mammana, Carlos Ignacio Zamitti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: OXIDAÇÃO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de. Oxidação térmica do silicio: um estudo do método de oxidação com vapor de água. 1972. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1972. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Andrade, A. M. de. (1972). Oxidação térmica do silicio: um estudo do método de oxidação com vapor de água (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Andrade AM de. Oxidação térmica do silicio: um estudo do método de oxidação com vapor de água. 1972 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Andrade AM de. Oxidação térmica do silicio: um estudo do método de oxidação com vapor de água. 1972 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Tese (Doutorado)
Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio (1969)
Ferreira, Ademar ; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, TELÚRIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Ademar. Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio. 1969. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1969. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Ferreira, A. (1969). Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Ferreira A. Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio. 1969 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Ferreira A. Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio. 1969 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Tese (Doutorado)
Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (1968)
Eisencraft, Marcos; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, GÁLIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
EISENCRAFT, Marcos. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1968. . Acesso em: 30 ago. 2024.
APA
Eisencraft, M. (1968). Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 ago. 30 ]
Vancouver
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 ago. 30 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects