Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão (1974)
- Authors:
- Autor USP: ZASNICOFF, LUIZ SERGIO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: SILÍCIO
- Language: Português
- Abstract: O objetivo principal deste trabalho é o estabelecimento de um processo de fabricação de retificadores controlados de silício de baixa potência, mediante a utilização da técnica de tripla difusão dentro da tecnologia planar. Para tanto, adotamos uma sequência de processamento adequada à técnica, onde são feitas algumas modificações e inclusões no conjunto de etapas convencionais, que caracterizam este trabalho prático. Para a caracterização das regiões difundidas, necessitou-se da realização de um estudo experimental de difusões em altas profundidades, dirigido especificamente para as condições desejadas à estrutura p-n-p-n. Este estudo concentrou-se principalmente na obtenção de dados sobre difusão de boro, utilizada na formação de ilhas isoladas e na formação da região de base p. São apresentadas algumas considerações sobre o mecanismo físico e elétrico do dispositivo, assim como uma discussão detalhada dos fatores que caracterizam o seu modelamento. Os critérios adotados para o projeto evidenciam uma linha específica de tratamento, fundamentada pela interação mútua dos modelos teóricos para o cálculo das tensões de ruptura das junções e parta o cálculo dos ganhos de corrente, modelos estes adequados para a análise de regiões difundida com perfis gaussianos. Acrescenta-se, ainda, um breve estudo teórico-prático sobre as características de desempenho do dispositivo, considerando-se ambas as operações estática e dinâmica, e seu comportamento em função da temperatura. Além da série de dispositivos construídos segundo os dados de projeto, três séries adicionais foram processadas, cada qual com características peculiares e distintas da série original. Este fato nos permitiu analisar e discutir as variáveis de projeto, assim como suas e tempos para o corte de 7,5 µs consequências nas características de desempenho do dispositivo. Os resultadosexperimentais indicam que os dispositivos da série original apresentam correntes reversas inferiores a 300 µA, para uma tensão de 250 V e 125 °C na junção. Com uma área de aproximadamente 2,2 m2, estes dispositivos apresentam, a temperatura ambiente, correntes mínimas de manutenção em torno de 2mA, tempos para a condução de 1,7 µs, resultados comparáveis aos melhores valores presentes em dispositivos comerciais.
- Imprenta:
- Data da defesa: 26.11.1974
-
ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio. Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão. 1974. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1974. . Acesso em: 11 jan. 2026. -
APA
Zasnicoff, L. S. (1974). Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Zasnicoff LS. Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão. 1974 ;[citado 2026 jan. 11 ] -
Vancouver
Zasnicoff LS. Projeto e construção de retificadores controlados de silício utilizando a técnica de tripla difusão. 1974 ;[citado 2026 jan. 11 ] - Processos mos
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