Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos (1989)
- Authors:
- Autor USP: ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Subjects: FILMES FINOS; SILÍCIO; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Abstract: Este trabalho apresenta detalhes da construção de um reator para depósito por decomposição em plasma de rádio-frequência de silana e de outros reagentes, de películas finas de ligas de silício amorfo hidrogenado. São apresentados, a seguir, os resultados dos processos de deposição de películas de silício amorfo hidrogenado não dopado e dopado com boro ou fósforo, carbeto de silício amorfo e nitreto de silício amorfo hidrogenado. A caracterização das películas é feita em termos de suas propriedades fotovoltaicas e eletrônicas. Desenvolvidas as técnicas de obtenção de ligas de silício com boas propriedades fotovoltaicas, foram construídas células solares de silício amorfo sobre lâminas de aço inoxidável. As células, de estrutura n-i-p/substrato foram construídas com eletrodos frontais de óxido de índio e estanho (ITO). O)s resultados de eficiência de conversão obtidos, n = 8%, comprovam a boa qualidade fotovoltaica das películas depositadas. São apresentados, a seguir, os processos desenvolvidos para a fabricação de transistores de filmes finos de silício amorfo. Foram construídos dois tipos básicos de estrutura de transistores a efeito de campo. O primeiro tipo, com dielétrico de porta de dióxido de silício, sobre substratos de silício monocristalino, teve os contatos das regiões de fonte e dreno obtidos por implantação iônica. Tensões de limiar de condução, VT, em torno de 2,0 volts foram obtidas e reportadas pela primeira vez. O segundo tipo de transistores, com dielétrico de porta de nitreto de silício amorfo, apresenta características de chaveamento com razões de corrente nos estados ligado e desligado, Ion/Ioff, maior do que 10⁶ e VTS compatíveis com aplicações em matrizes de endereçamento de mostradores de cristal líquido.
- Imprenta:
- Data da defesa: 07.04.1989
-
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de; ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. -
APA
Andrade, A. M. de, & Andrade, C. A. M. de. (1989). Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989 ; -
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989 ; - Desenvolvimento de tecnologias de fabricação de células solares de silício
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