Super-redes de silício amorfo (1988)
- Authors:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: SILÍCIO
- Language: Português
- Abstract: A seguir apresentamos os resultados de nossos estudos com Super-redes e dispositivos de Barreira múltiple de a-Si:H. Este trabalho se desenvolveu com o objetivo de verificar a existência de fenômenos de tamanho quântico em silício amorfo hidrogenado (a-Si:H). Para tal, construímos e caracterizamos vários conjuntos de heteroestruturas. Importantes mudanças na condutividade paralela e no gap óptico do silício amorfo., quando no seu estado estratificado (Multicamadas), foram observadas bem como acentuadas singularidades nas características de corrente vs. Tensão dos dispositivos de barreira dupla. Nós consideramos que estes resultados podem ser atribuídos a efeitos de tamanho quântico, embora, por enquanto, outras possibilidades não possam ser descartadas. Nas estruturas utilizadas as regiões de po são formadas a partir de camadas de a-Si:H enquanto as barreiras de potencial são obtidas a partir de camadas de carbeto de silício hidrogenado (a-Si:Cx:H). O trabalho envolveu a análise das características eletro-ópticas dos dispositivos , largura d0 “band-gap”, energia de ativação, produto mobilidade X tempo de vida e o estudo das propriedades de transporte de carga através de medidas de condutividade e da análise das características I vs. V.
- Imprenta:
- Data da defesa: 19.12.1988
-
ABNT
PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Super-redes de silício amorfo. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 15 mar. 2026. -
APA
Páez Carreño, M. N. (1988). Super-redes de silício amorfo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Páez Carreño MN. Super-redes de silício amorfo. 1988 ;[citado 2026 mar. 15 ] -
Vancouver
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