Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process (2004)
- Authors:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Subjects: MICROELETRÔNICA; FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2004
- ISBN: 1-56677-416-0
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO
-
ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 16 jun. 2025. -
APA
Oliveira, A. R. de, & Paez Carreño, M. N. (2004). Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society. -
NLM
Oliveira AR de, Paez Carreño MN. Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2025 jun. 16 ] -
Vancouver
Oliveira AR de, Paez Carreño MN. Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2025 jun. 16 ] - Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication
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