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Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (1968)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: EISENCRAFT, MARCOS - EP
  • Unidades: EP
  • Sigla do Departamento: PEL
  • Subjects: DIODOS; GÁLIO; SILÍCIO
  • Language: Português
  • Abstract: O objetivo desta tese é o estudo das propriedades elétricas e óticas dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio fabricados a partir de solução líquida com contaminação por meio de silício. Foram estudadas as curvas características corrente-tensão tanto no sentido direto como no sentido reverso, identificando-se os mecanismos responsáveis pelas diversas componentes da corrente dos diodos. No sentido direto, foi verificada a existência de uma corrente do tipo exp (qV/ƞkt) atribuída à recombinação na região de transição. Para baixas tensões no sentido direto, a componente predominante, do tipo exp (∝ V), foi atribuída a um mecanismo de tunelamento através de vários estados intermediários. Foi verificada a existência de corrente de injeção do tipo exp(qV/kT) por meio de medidas de intensidade de radiação em função da tensão aplicada. A corrente reversa foi atribuída a tunelamento através de vários estados intermediários, até tensões próximas da ruptura da junção. A ruptura da junção ocorre devido à multiplicação por efeito avalanche. Foram estudados os espectros de emissão e de fotocorrente dos diodos de arseneto de gálio contaminado com silício em comparação com os diodos com contaminação de zinco. A radiação foi atribuída a um mecanismo de recombinação dos elétrons injetados com lacunas ligadas a impurezas aceitadoras não ionizadas. Foi explicada a diferença de rendimento entre os diodos com contaminação de silício e com contaminação de zinco. Foi feita uma tentativa de correlação entre o rendimento quântico e o tipo de junção.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 25.05.1968

  • How to cite
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    • ABNT

      EISENCRAFT, Marcos; ANDERSON, Richard Louis. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1968.
    • APA

      Eisencraft, M., & Anderson, R. L. (1968). Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Eisencraft M, Anderson RL. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;
    • Vancouver

      Eisencraft M, Anderson RL. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;