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Dissertação (Mestrado)
Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS (2022)
Amaral, Thiago Alves Mendes do; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador) ; Hernández Herrera, Hugo Daniel (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
AMARAL, Thiago Alves Mendes do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Amaral, T. A. M. do. (2022). Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/
NLM
Amaral TAM do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/
Vancouver
Amaral TAM do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/
Tese (Doutorado)
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO
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ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
NLM
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Vancouver
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Dissertação (Mestrado)
Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi (2012)
Oliveira, Alexandre Maniçoba de; Justo Filho, João Francisco (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, ANTENAS, RADAR
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ABNT
OLIVEIRA, Alexandre Maniçoba de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Oliveira, A. M. de. (2012). Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/
NLM
Oliveira AM de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/
Vancouver
Oliveira AM de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/
Dissertação (Mestrado)
Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência (2010)
Cabrera Salas, Dwight José; Vale Neto, José Vieira do (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, OSCILADORES
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ABNT
CABRERA SALAS, Dwight José. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Cabrera Salas, D. J. (2010). Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/
NLM
Cabrera Salas DJ. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/
Vancouver
Cabrera Salas DJ. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/
Dissertação (Mestrado)
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (2010)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2010). Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
NLM
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
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Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS (2010)
Cabrera Riaño, Fabián Leonardo; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
CABRERA RIAÑO, Fabián Leonardo. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Cabrera Riaño, F. L. (2010). Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/
NLM
Cabrera Riaño FL. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/
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Cabrera Riaño FL. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS (2010)
Saldaña Pumarica, Julio César; Del Moral Hernandez, Emilio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: NEURÔNIOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
SALDAÑA PUMARICA, Julio César. Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-01032011-115940/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Saldaña Pumarica, J. C. (2010). Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-01032011-115940/
NLM
Saldaña Pumarica JC. Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-01032011-115940/
Vancouver
Saldaña Pumarica JC. Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-01032011-115940/
Dissertação (Mestrado)
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (2009)
Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETTI, Talitha. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Nicoletti, T. (2009). Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
NLM
Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
Vancouver
Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
Dissertação (Mestrado)
Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (2009)
Amaro, Jefferson Oliveira; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, TRANSISTORES (MODELAGEM), CIRCUITOS ANALÓGICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMARO, Jefferson Oliveira. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Amaro, J. O. (2009). Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
NLM
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
Vancouver
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
Dissertação (Mestrado)
Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee (2008)
Santos, Sérgio de Almeida; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, SINTETIZADOR, TELECOMUNICAÇÕES, SISTEMA DE TRANSMISSÃO DE SINAIS DE RÁDIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sérgio de Almeida. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Santos, S. de A. (2008). Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/
NLM
Santos S de A. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/
Vancouver
Santos S de A. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência (2008)
Trevisan, Paulo Heringer; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TREVISAN, Paulo Heringer. Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Trevisan, P. H. (2008). Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/
NLM
Trevisan PH. Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/
Vancouver
Trevisan PH. Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/
Tese (Doutorado)
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (2008)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Agopian, P. G. D. (2008). Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
NLM
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Vancouver
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (2008)
Scaff, Robson; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCAFF, Robson. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Scaff, R. (2008). Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
NLM
Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
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Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
Dissertação (Mestrado)
Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS (2007)
Anjos, Angélica dos; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANJOS, Angélica dos. Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Anjos, A. dos. (2007). Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/
NLM
Anjos A dos. Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/
Vancouver
Anjos A dos. Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF (2007)
Hamanaka, Cristian Otsuka; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HAMANAKA, Cristian Otsuka. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Hamanaka, C. O. (2007). Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
NLM
Hamanaka CO. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
Vancouver
Hamanaka CO. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
Tese (Doutorado)
Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2006)
Reis, Ronaldo Willian; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, DIODOS, FILMES FINOS, RUGOSIDADE SUPERFICIAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
REIS, Ronaldo Willian. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Reis, R. W. (2006). Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Reis RW. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Reis RW. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (2006)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RODRIGUES, Michele. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2006). Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
NLM
Rodrigues M. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
Vancouver
Rodrigues M. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS (2006)
Miranda, Fernando Pedro Henriques de; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MIRANDA, Fernando Pedro Henriques de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Miranda, F. P. H. de. (2006). Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
NLM
Miranda FPH de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
Vancouver
Miranda FPH de. Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14122006-154818/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (2006)
Souza, Ricardo de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, FILMES FINOS
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ABNT
SOUZA, Ricardo de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Souza, R. de. (2006). Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
NLM
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
Vancouver
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
Tese (Doutorado)
Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (2005)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: RUGOSIDADE SUPERFICIAL, SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Toquetti, L. Z. (2005). Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2024 jul. 19 ]

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