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Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2006)

  • Authors:
  • Autor USP: REIS, RONALDO WILLIAN - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS; DIODOS; FILMES FINOS; RUGOSIDADE SUPERFICIAL
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho apresentamos um estudo experimental da obtenção de contatos de siliceto de níquel sobre junções rasas através de duas técnicas diferentes. Na primeira, o siliceto de níquel foi formado sobre as junções n+p previamente implantadas antes da silicetação e, na segunda, os dopantes foram implantados diretamente no siliceto de níquel previamente formado para em seguida, numa etapa de recozimento térmico, serem difundidos em direção ao substrato de silício. O siliceto de níquel foi obtido a partir de filmes de níquel depositados diretamente sobre substrato de silício seguido por etapas de recozimento em temperaturas de 300°C a 450°C por 120s usando um forno de processamento térmico rápido (RTP). A fase NiSi foi obtida em 400°C com baixas rugosidades superficiais e interfaciais (<1,2 nm RMS). Na temperatura de 450°C diferentes fases de siliceto de níquel aparecem indicando instabilidade térmica em temperaturas acima de 400°C. Processos de obtenção do mono-siliceto de níquel utilizando 1,5 nm de platina entre o substrato e o níquel depositado por evaporação térmica foram realizados para melhorar a estabilidade térmica deste siliceto. Como resultado, após recozer as estruturas Ni(Pt)Si em temperaturas na faixa de 350 a 800°C, a fase NiSi foi obtida em temperaturas acima de 400°C e a degradação do NiSi aconteceu somente em temperaturas acima de 700°C indicando um aumento na janela de processo quanto à temperatura de recozimento. As rugosidades RMS superficiaisobtidas foram menores que 1,4 nm e o menor valor de resistividade foi obtido em 500°C (25 mW.cm). Outro processo foi realizado sobre substrato de silício dopado utilizando duas camadas interfaciais de platina (1,5nm) e paládio (3nm) entre o silício e o níquel (30nm). Os recozimentos foram realizados em temperaturas de 350°C a 800°C por 120s. ) Diferentes fases de siliceto de níquel foram encontradas em 600°C resultando na média na fase NiSi. As rugosidades resultaram muito baixas (<0,7nm RMS) assim como em baixa resistividade (25,7mW.cm). Outro processo de obtenção de siliceto de níquel foi realizado a partir de uma fina camada de platina depositada sobre o substrato de seguido de deposição de níquel com carbono (40% de carbono e 60% de níquel). Neste caso, o mono-siliceto de níquel foi obtido acima de 600°C após a completa expulsão do carbono do filme durante a silicetação. A estrutura Al/Ti/NiSi/n+p foi fabricada e os resultados referentes as medidas elétricas podem ser considerados muito bons; densidade de corrente reversa por unidade de área de 33,8nA/cm2 e por unidade de perímetro de 654pA/cm, tensão de início de condução de 0,57V, fator de idealidade de 1.15 e resistência série dos diodos em condução igual a 4,7W
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 28.07.2006

  • How to cite
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    • ABNT

      REIS, Ronaldo Willian; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006.
    • APA

      Reis, R. W., & Santos Filho, S. G. dos. (2006). Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Reis RW, Santos Filho SG dos. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;
    • Vancouver

      Reis RW, Santos Filho SG dos. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;

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