Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (2006)
- Authors:
- Autor USP: SOUZA, RICARDO DE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: CAPACITORES; CIRCUITOS INTEGRADOS MOS; FILMES FINOS
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 100nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de O'IND.2' ou pirogênico a fim de comparar a uniformidade de cobertura sobre os degraus verticais dos perfis retangulares. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 850°C permite obter óxidos de porta sobre degraus com altura de 100nm com baixa corrente de fuga e alto campo de ruptura. Esse comportamento pode ser interpretado como óxidos de porta perfeitamente amoldados sobre os degraus de 100nm de altura. O impacto deste resultado é agora a possibilidade de implementar óxidos de porta para transistores de porta envolvente e FinFETs.
- Imprenta:
- Data da defesa: 30.11.2006
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ABNT
SOUZA, Ricardo de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/. Acesso em: 25 nov. 2025. -
APA
Souza, R. de. (2006). Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/ -
NLM
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 25 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/ -
Vancouver
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 25 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
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