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Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o (1986)
Giafarov, M F M; Pereira Neto, J R; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
GIAFAROV, M F M e PEREIRA NETO, J R e LEITE, J. R. Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 11 out. 2024. , 1986
APA
Giafarov, M. F. M., Pereira Neto, J. R., & Leite, J. R. (1986). Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Giafarov MFM, Pereira Neto JR, Leite JR. Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 348.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Giafarov MFM, Pereira Neto JR, Leite JR. Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 348.[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1986)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 11 out. 2024. , 1986
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 11 out. 2024. , 1986
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.1): 55-60.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.1): 55-60.[citado 2024 out. 11 ]
Artigo de periodico
Assali and leite respond (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Assali and leite respond. Physical Review Letters, v. 56, n. 4 , p. 403, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevlett.56.403. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Assali and leite respond. Physical Review Letters, 56( 4 ), 403. doi:10.1103/physrevlett.56.403
NLM
Assali LVC, Leite JR. Assali and leite respond [Internet]. Physical Review Letters. 1986 ;56( 4 ): 403.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.56.403
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Assali and leite respond [Internet]. Physical Review Letters. 1986 ;56( 4 ): 403.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.56.403
Artigo de periodico
Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon (1986)
Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ELÉTRONS
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ABNT
ALVES, J L A e LEITE, J. R. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon. Physical Review B, v. 34, n. 10, p. 7174-85, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.34.7174. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1986). Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon. Physical Review B, 34( 10), 7174-85. doi:10.1103/physrevb.34.7174
NLM
Alves JLA, Leite JR. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon [Internet]. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7174-85.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.34.7174
Vancouver
Alves JLA, Leite JR. Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 5d transition-atom impurities in silicon [Internet]. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7174-85.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.34.7174
Artigo de periodico
Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields (1986)
Leite, J. R.; Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
LEITE, J. R. et al. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 335-46, 1986Tradução . . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Leite, J. R., Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., & Chaves, A. S. (1986). Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 335-46.
NLM
Leite JR, Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 335-46.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Leite JR, Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS. Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 335-46.[citado 2024 out. 11 ]
Artigo de periodico
Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon (1986)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOMES, V M S e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 749-61, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560300764. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 749-61. doi:10.1002/qua.560300764
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem (1986)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 11 out. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 out. 11 ]
Artigo de periodico
Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS' (1986)
Scolfaro, L M R; Pintanel, R; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chaves, A A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 34, n. 10, p. 7135-9, 1986Tradução . . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Pintanel, R., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Chaves, A. A. (1986). Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B, 34( 10), 7135-9.
NLM
Scolfaro LMR, Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AA. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7135-9.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AA. Impurity levels induced by a c impurity in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 10): 7135-9.[citado 2024 out. 11 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications, v. 58, n. 9 , p. 577-80, 1986Tradução . . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications, 58( 9 ), 577-80.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications. 1986 ;58( 9 ): 577-80.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications. 1986 ;58( 9 ): 577-80.[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1986)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon (1986)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 11 out. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1986). Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. 1986, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v (1986)
Chagas, M I T; Pereira Neto, J R; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHAGAS, M I T et al. Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 11 out. 2024. , 1986
APA
Chagas, M. I. T., Pereira Neto, J. R., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1986). Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Chagas MIT, Pereira Neto JR, Leite JR, Ferraz AC. Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 347.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Chagas MIT, Pereira Neto JR, Leite JR, Ferraz AC. Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 347.[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p (1986)
Alves, H W L; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 11 out. 2024. , 1986
APA
Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (1986). Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves HWL, Leite JR. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 11 out. 2024. , 1986
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Mecanismo de difusao em semicondutores (1986)
Silva, E C F; Dal Pino Junior, A; Santos, M D F M; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F et al. Mecanismo de difusao em semicondutores. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Dal Pino Junior, A., Santos, M. D. F. M., & Leite, J. R. (1986). Mecanismo de difusao em semicondutores. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Silva ECF, Dal Pino Junior A, Santos MDFM, Leite JR. Mecanismo de difusao em semicondutores. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Silva ECF, Dal Pino Junior A, Santos MDFM, Leite JR. Mecanismo de difusao em semicondutores. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem (1986)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 11 ]
Artigo de periodico
Noble gas atoms as impurities in silicon (1986)
Chachan, H; Alves, J L A; Siqueira, M L; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHACHAN, H et al. Noble gas atoms as impurities in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 347-51, 1986Tradução . . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Chachan, H., Alves, J. L. A., Siqueira, M. L., & Leite, J. R. (1986). Noble gas atoms as impurities in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 347-51.
NLM
Chachan H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Noble gas atoms as impurities in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 347-51.[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Chachan H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Noble gas atoms as impurities in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 347-51.[citado 2024 out. 11 ]

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