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Trabalho de evento-resumo
INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS (2022)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, ARSÊNIO
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad e CANTALICE, Tiago Fernandes de e QUIVY, Alain André. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2022). INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, M D ; Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Hendriks, A L; Koenraad, P M
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Quivy, A. A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gajjela, R. S. R., et al. (2022). ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs (2005)
Cunha, J R da; Silva, S W; Quivy, A. A.; Cruz, J M R; Morais, P. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CUNHA, J R da et al. Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1182-1.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Cunha, J. R. da, Silva, S. W., Quivy, A. A., Cruz, J. M. R., & Morais, P. C. (2005). Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1182-1.pdf
NLM
Cunha JR da, Silva SW, Quivy AA, Cruz JMR, Morais PC. Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1182-1.pdf
Vancouver
Cunha JR da, Silva SW, Quivy AA, Cruz JMR, Morais PC. Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1182-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in (2005)
Sergio, C S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Goussev, Guennadii Michailovich; Portal, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL
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ABNT
SERGIO, C S et al. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Sergio, C. S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Goussev, G. M., & Portal, J. C. (2005). Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
NLM
Sergio CS, Lamas TE, Quivy AA, Goussev GM, Portal JC. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
Vancouver
Sergio CS, Lamas TE, Quivy AA, Goussev GM, Portal JC. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures (2005)
Goussev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Seabra, Antonio Carlos
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOUSSEV, Guennadii Michailovich et al. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Goussev, G. M., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Seabra, A. C. (2005). Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
NLM
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
Vancouver
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well (2005)
Duarte, Cesário Antonio; Gusev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, FO
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
DUARTE, Cesário Antonio et al. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Duarte, C. A., Gusev, G. M., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2005). Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
NLM
Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
Vancouver
Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots (2005)
Pagnossin, I R; Silva, E C F da; Quivy, A. A.; Martini, S; Sergio, C. S
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAGNOSSIN, I R et al. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Pagnossin, I. R., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Martini, S., & Sergio, C. S. (2005). Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
NLM
Pagnossin IR, Silva ECF da, Quivy AA, Martini S, Sergio CS. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
Vancouver
Pagnossin IR, Silva ECF da, Quivy AA, Martini S, Sergio CS. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Freitas, R. O.; Morelhão, Sérgio Luiz; Quivy, A. A.; Avanci, L H
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, R. O. et al. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Freitas, R. O., Morelhão, S. L., Quivy, A. A., & Avanci, L. H. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
NLM
Freitas RO, Morelhão SL, Quivy AA, Avanci LH. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
Vancouver
Freitas RO, Morelhão SL, Quivy AA, Avanci LH. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots (2000)
Silva, M. J. da; Quivy, A. A.; González-Borrero, Pedro Pablo; Marega Junior, Euclydes ; Moshegov, N. T.
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, M. J. da et al. AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots. 2000, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2000. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., González-Borrero, P. P., Marega Junior, E., & Moshegov, N. T. (2000). AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots. In Resumo. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Junior E, Moshegov NT. AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots. Resumo. 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, González-Borrero PP, Marega Junior E, Moshegov NT. AFM and PL characterization of the continuos evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots. Resumo. 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells (1998)
Sotomayor, N M; Soares, J A N T; Sperandio, A L; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOTOMAYOR, N M et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Sotomayor, N. M., Soares, J. A. N. T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-anais periodico
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates (1998)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, E C F; Sperandio, A L; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. et al. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Sperandio, A. L., & Leite, J. R. (1998). p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates (1998)
Frizzarini, M; Silva, E C F; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRIZZARINI, M et al. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1998). Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Frizzarini M, Silva ECF, Quivy AA, Leite JR. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Frizzarini M, Silva ECF, Quivy AA, Leite JR. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
High electron-mobility layers grown by molecular beam epitaxy of III-V compounds (1998)
Sperandio, A L; Quivy, A. A.; Gusev, G M; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SPERANDIO, A L et al. High electron-mobility layers grown by molecular beam epitaxy of III-V compounds. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Gusev, G. M., & Leite, J. R. (1998). High electron-mobility layers grown by molecular beam epitaxy of III-V compounds. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sperandio AL, Quivy AA, Gusev GM, Leite JR. High electron-mobility layers grown by molecular beam epitaxy of III-V compounds. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Sperandio AL, Quivy AA, Gusev GM, Leite JR. High electron-mobility layers grown by molecular beam epitaxy of III-V compounds. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Fônons de borda da zona de brillouin induzidos em espalhamento raman por defeito local (1998)
Vaz, A R; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Lemos, V
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VAZ, A R et al. Fônons de borda da zona de brillouin induzidos em espalhamento raman por defeito local. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Vaz, A. R., Quivy, A. A., Leite, J. R., & Lemos, V. (1998). Fônons de borda da zona de brillouin induzidos em espalhamento raman por defeito local. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Vaz AR, Quivy AA, Leite JR, Lemos V. Fônons de borda da zona de brillouin induzidos em espalhamento raman por defeito local. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Vaz AR, Quivy AA, Leite JR, Lemos V. Fônons de borda da zona de brillouin induzidos em espalhamento raman por defeito local. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy (1998)
Quivy, A. A.; Cotta, M A; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
QUIVY, A. A. e COTTA, M A e LEITE, J. R. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Quivy, A. A., Cotta, M. A., & Leite, J. R. (1998). Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Cotta MA, Leite JR. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27( 4): 154-457.[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Quivy AA, Cotta MA, Leite JR. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27( 4): 154-457.[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates (1997)
Frizzarini, Marcos; Sperandio, Alexander Luz; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FRIZZARINI, Marcos et al. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Frizzarini, M., Sperandio, A. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1997). Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices (1997)
Sperandio, Alexander Luz; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SPERANDIO, Alexander Luz e QUIVY, A. A. e LEITE, J. R. Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Sperandio, A. L., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1997). Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers (1997)
Gusev, G M; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Rossi, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GUSEV, G M et al. Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Leite, J. R., & Rossi, J. C. (1997). Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Rossi JC. Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Rossi JC. Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]

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