Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors (1997)
- Authors:
- Autor USP: MORELHAO, SERGIO LUIZ - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.120157
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 71, n. 18, p. 2614-2616. 1997
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
HAYASHI, M A et al. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors. Applied Physics Letters, v. 71, n. 18, p. 2614-2616. 1997, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.120157. Acesso em: 09 abr. 2026. -
APA
Hayashi, M. A., Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Cardoso, L. P., Sasaki, J. M., Kretly, L. C., & Chang, S. L. (1997). Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors. Applied Physics Letters, 71( 18), 2614-2616. 1997. doi:10.1063/1.120157 -
NLM
Hayashi MA, Morelhão SL, Avanci LH, Cardoso LP, Sasaki JM, Kretly LC, Chang SL. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 71( 18): 2614-2616. 1997.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120157 -
Vancouver
Hayashi MA, Morelhão SL, Avanci LH, Cardoso LP, Sasaki JM, Kretly LC, Chang SL. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 71( 18): 2614-2616. 1997.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120157 - Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators
- Intrinsic spatial resolution limit of the analyzer-based X-ray phase contrast imaging technique
- Lateral lattice coherence lengths in thin lms of bismuth telluride topological insulators, with overview on polarization factors for X-ray dynamical di raction in monochromator crystals
- Dislocations in dendritic web silicon
- Investigação da polarização da radiação síncrotron por varredura "fi"
- Synchrotron radiation X-ray multiple diffraction in the study of doped KDP
- An x-ray diffractometer for accurate structural invariant phase determination
- Determinação do coeficiente piezoelétrico do cristal de KDP sando difração múltipla com fonte de radiação síncroton
- Automatic x-ray crystallographic phasing at LNLS
- Direct observation of tetragonal distortion in epitaxial structures through secondary peak split in a synchrotron radiation renninger scan
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
Por se tratar de integração com serviço externo, podem existir diferentes versões do trabalho (como preprints ou postprints), que podem diferir da versão publicada.
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
