Reactive ion etching of 'GA''AS' in cc14-n2 plasmas (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP ; VERDONCK, PATRICK BERNARD - EP ; MANSANO, RONALDO DOMINGUES - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Ufrj
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1994
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard et al. Reactive ion etching of 'GA''AS' in cc14-n2 plasmas. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Verdonck, P. B., Swart, J. W., Mansano, R. D., & Ordonez, N. (1994). Reactive ion etching of 'GA''AS' in cc14-n2 plasmas. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj. -
NLM
Verdonck PB, Swart JW, Mansano RD, Ordonez N. Reactive ion etching of 'GA''AS' in cc14-n2 plasmas. Anais. 1994 ;[citado 2026 fev. 13 ] -
Vancouver
Verdonck PB, Swart JW, Mansano RD, Ordonez N. Reactive ion etching of 'GA''AS' in cc14-n2 plasmas. Anais. 1994 ;[citado 2026 fev. 13 ] - Analysis of the etching mechanisms of tungsten in fluorine containing plasmas
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