Deposicao e caracterizacao de silicio policristalino depositado por lpcvd a partir de silana (1993)
- Authors:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
PEDRINE, A G e HASENACK, Claus Martin e LOPES, M C V. Deposicao e caracterizacao de silicio policristalino depositado por lpcvd a partir de silana. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 10 jan. 2026. -
APA
Pedrine, A. G., Hasenack, C. M., & Lopes, M. C. V. (1993). Deposicao e caracterizacao de silicio policristalino depositado por lpcvd a partir de silana. In Anais. Campinas: Sbmicro. -
NLM
Pedrine AG, Hasenack CM, Lopes MCV. Deposicao e caracterizacao de silicio policristalino depositado por lpcvd a partir de silana. Anais. 1993 ;[citado 2026 jan. 10 ] -
Vancouver
Pedrine AG, Hasenack CM, Lopes MCV. Deposicao e caracterizacao de silicio policristalino depositado por lpcvd a partir de silana. Anais. 1993 ;[citado 2026 jan. 10 ] - Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd
- Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa
- Trxfa: uma tecnica de analise somente para microeletronica
- Estudo do processo de calibracao de temperatura de um forno de processamento termico rapido
- Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos
- Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas
- Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides
- Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp
- Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth
- Numerical calculations of the effects of structural imperfections on mos capacitors
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
