Deposicao de silicio policristalino por lpcvd (1993)
- Authors:
- USP affiliated author: PEDRINE, ANTONIO GIACOMO - EP
- School: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Subject: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho apresentamos o processo de deposicao de silicio policristalino por lpcvd (low pressure chemical vapor deposition) utilizando nitrogenio como gas carregador. Para caracterizacao do processo, obtivemos inicialmente a relacao entre fracao molar de silana e taxa de deposicao do filme. Com esse resultado, pudemos notar a pequena influencia do processo de difusao de massa. Atraves de fotomicrografias de forca atomica e varredura, pudemos acessar a influencia da fracao molar de silana na rugosidade superficial do filme. Analises por difracao de raios-x mostraram que o filme exibe as seguintes orientacoes cristalograficas preferenciais: (110), (111), (311) e (331). Atraves de fotomicrografias de forca atomica verificou-se que o tamanho de grao para filmes de espessura 0,5 micrometros possui tamanho de grao variando de 100 a 240 nanometros (valores proximos dos obtidos atraves de medidas de raios-x). Verificou-se tambem a estrutura colunar do filme.
- Imprenta:
- Data da defesa: 25.10.1993
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ABNT
PEDRINE, Antonio Giacomo. Deposicao de silicio policristalino por lpcvd. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 04 jul. 2022. -
APA
Pedrine, A. G. (1993). Deposicao de silicio policristalino por lpcvd (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Pedrine AG. Deposicao de silicio policristalino por lpcvd. 1993 ;[citado 2022 jul. 04 ] -
Vancouver
Pedrine AG. Deposicao de silicio policristalino por lpcvd. 1993 ;[citado 2022 jul. 04 ]
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