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Deposicao de silicio policristalino por lpcvd (1993)

  • Authors:
  • Autor USP: PEDRINE, ANTONIO GIACOMO - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEE
  • Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho apresentamos o processo de deposicao de silicio policristalino por lpcvd (low pressure chemical vapor deposition) utilizando nitrogenio como gas carregador. Para caracterizacao do processo, obtivemos inicialmente a relacao entre fracao molar de silana e taxa de deposicao do filme. Com esse resultado, pudemos notar a pequena influencia do processo de difusao de massa. Atraves de fotomicrografias de forca atomica e varredura, pudemos acessar a influencia da fracao molar de silana na rugosidade superficial do filme. Analises por difracao de raios-x mostraram que o filme exibe as seguintes orientacoes cristalograficas preferenciais: (110), (111), (311) e (331). Atraves de fotomicrografias de forca atomica verificou-se que o tamanho de grao para filmes de espessura 0,5 micrometros possui tamanho de grao variando de 100 a 240 nanometros (valores proximos dos obtidos atraves de medidas de raios-x). Verificou-se tambem a estrutura colunar do filme.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 25.10.1993

  • How to cite
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    • ABNT

      PEDRINE, Antonio Giacomo; HASENACK, Claus Martin. Deposicao de silicio policristalino por lpcvd. 1993.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993.
    • APA

      Pedrine, A. G., & Hasenack, C. M. (1993). Deposicao de silicio policristalino por lpcvd. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Pedrine AG, Hasenack CM. Deposicao de silicio policristalino por lpcvd. 1993 ;
    • Vancouver

      Pedrine AG, Hasenack CM. Deposicao de silicio policristalino por lpcvd. 1993 ;

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