Obtenção de contato ôhmico sobre junções rasas em Si, utilizando siliceto de Ti e TiW entre substrato e Al (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP ; FURLAN, ROGERIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Ipen/Cnen-Sp/Dema-Ufscar
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1990
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais
-
ABNT
FURLAN, Rogério e SWART, Jacobus Willibrordus. Obtenção de contato ôhmico sobre junções rasas em Si, utilizando siliceto de Ti e TiW entre substrato e Al. 1990, Anais.. São Paulo: Ipen/Cnen-Sp/Dema-Ufscar, 1990. . Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Furlan, R., & Swart, J. W. (1990). Obtenção de contato ôhmico sobre junções rasas em Si, utilizando siliceto de Ti e TiW entre substrato e Al. In Anais. São Paulo: Ipen/Cnen-Sp/Dema-Ufscar. -
NLM
Furlan R, Swart JW. Obtenção de contato ôhmico sobre junções rasas em Si, utilizando siliceto de Ti e TiW entre substrato e Al. Anais. 1990 ;[citado 2026 fev. 14 ] -
Vancouver
Furlan R, Swart JW. Obtenção de contato ôhmico sobre junções rasas em Si, utilizando siliceto de Ti e TiW entre substrato e Al. Anais. 1990 ;[citado 2026 fev. 14 ] - Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum
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