Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP ; FURLAN, ROGERIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Epusp
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1988
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica
-
ABNT
FURLAN, Rogério; SWART, Jacobus Willibrordus. Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio. Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. -
APA
Furlan, R., & Swart, J. W. (1988). Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp. -
NLM
Furlan R, Swart JW. Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio. Anais. 1988 ; -
Vancouver
Furlan R, Swart JW. Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio. Anais. 1988 ; - Verificação da redistribuição de arsenio no processo de formação de siliceto de titanio por rtp em vacuo
- Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum
- Obtencao de contato ohmico sobre juncoes rasas em 'SI', utilizando siliceto de 'TI' e 'TI'w entre substrato a 'AL'
- Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rapid thermal treatments in vacuum
- Estudo da liga 'TI'w como uma barreira de difusao entre aluminio e 'TI''SI IND.2'
- Study of the thermal stability of the al / tiw / tisi2 / si structure
- Formacao de siliceto de titanio por rtp: visando a estrutura salicide
- Dopagem de 'SI' com boro por tratamento térmico rápido
- Interconexoes e contatos em circuitos integrados
- Analise da influencia de impurezas em filmes de 'CO' na formacao do siliceto
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