Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP ; FURLAN, ROGERIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 1988
- Source:
- Título: Extended Abstracts
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.88, n.2 , p.377-8, 1988
- Conference titles: Eletrochemical Society Technical Meeting
-
ABNT
FURLAN, Rogério e SWART, Jacobus Willibrordus. Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum. Extended Abstracts. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 15 fev. 2026. , 1988 -
APA
Furlan, R., & Swart, J. W. (1988). Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum. Extended Abstracts. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. -
NLM
Furlan R, Swart JW. Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum. Extended Abstracts. 1988 ;88( 2 ): 377-8.[citado 2026 fev. 15 ] -
Vancouver
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